[发明专利]源极跟随器有效

专利信息
申请号: 201611114270.0 申请日: 2016-12-07
公开(公告)号: CN108170195B 公开(公告)日: 2020-04-17
发明(设计)人: 杨思哲;林文琦;陈耿男 申请(专利权)人: 矽统科技股份有限公司
主分类号: G05F1/565 分类号: G05F1/565
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 姚垚;曹正建
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 台湾;71
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【说明书】:

一种源极跟随器,具有第一晶体管、第一输出模块、第二晶体管、第二输出模块与反馈模块;第一晶体管的第一端用以接收第一基准电压,第一晶体管的第二端电性连接第一输出端,第一晶体管的控制端用以接收第一控制电压,第一输出模块电性连接第一输出端;第二晶体管的第一端用以接收第一基准电压,第二晶体管的第二端电性连接第二输出端,第二晶体管的控制端用以接收第一控制电压;第二输出模块电性连接第二输出端;反馈模块电性连接第一晶体管的控制端、第二晶体管的控制端与第二输出模块中的参考节点。本发明所提供的源极跟随器具有反馈模块,源极跟随器借助于反馈模块稳定所输出的电流,从而克服了压力、体积与温度对于源极跟随器电流的影响。

技术领域

本发明涉及一种源极跟随器,特别是一种具有反馈电路的源极跟随器。

背景技术

在传统的电路设计上,会设置源极跟随器(source follower)电路于可程序化增益放大器(programmable gain amplifier,PGA)的前端。相较于不具源极跟随器的电路,在设置有源极跟随器的电路中,相对于可程序化增益放大器而言,其前端电路所提供的输出阻抗会较低。在一种做法中,源极跟随器会例如使用金属氧化物半导体场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)当做缓冲器与转换阻抗。但是,源极跟随器中的元件容易受到压力、体积与温度(process,voltage and temperature,PVT)影响而有程度不一的老化,从而导致源极跟随器因为这些因素而输出预期之外的电压或者是电流,以致于整体电路的效能也会受到影响。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于,针对现有技术的不足提供一种源极跟随器,以克服压力、体积与温度对输出电压电流的影响。

本发明所要解决的技术问题是通过如下技术方案实现的:

一种源极跟随器,所述的源极跟随器具有第一晶体管、第一输出模块、第二晶体管、第二输出模块与反馈模块;第一晶体管的第一端用以接收第一基准电压,第一晶体管的第二端电性连接第一输出端,第一晶体管的控制端用以接收第一控制电压,第一晶体管用以依据第一控制电压产生第一电流;第一输出模块电性连接第一输出端,第一输出模块依据输入信号与第一电流提供输出电压至第一输出端;第二晶体管的第一端用以接收第一基准电压,第二晶体管的第二端电性连接第二输出端,第二晶体管的控制端用以接收第一控制电压,第二晶体管用以依据第一控制电压产生第二电流;第二输出模块电性连接第二输出端,第二输出模块依据第二基准电压与第二电流提供共模电压至第二输出端;反馈模块电性连接第一晶体管的控制端、第二晶体管的控制端与第二输出模块中的参考节点,反馈模块用以依据参考电压调整参考节点的电压电平与第一控制电压的电压电平。

更好地,该第一输出模块具有另一参考节点,该反馈模块电性连接该另一参考节点,且该反馈模块依据该参考电压调整该另一参考节点的电压电平,该反馈模块包括:一第一差动对,具有一第一控制端、一第二控制端、一第一电流端、一第二电流端与一第三电流端,该第一控制端电性连接该参考节点,该第二控制端用以接收该参考电压,该第一差动对用以依据该第一控制端的电压电平与该第二控制端的电压电平控制流经该第一差动对的该些电流端的电流;一第二差动对,具有一第三控制端、一第四控制端、一第四电流端、一第五电流端与一第六电流端,该第三控制端用以接收该参考电压,该第四控制端电性连接该另一参考节点,该第二差动对用以依据该第三控制端的电压电平与该第四控制端的电压电平控制流经该第二差动对的该些电流端的电流;以及一汇流单元,该汇流单元电性连接该第一晶体管与该第二晶体管,且该汇流单元具有一第一汇流端与一第二汇流端,该第一汇流端电性连接该第三电流端与该第五电流端,该第二汇流端电性连接该第二电流端与该第六电流端,该汇流单元用以依据流经该第三电流端的电流、流经该第四电流端的电流、流经该第五电流端的电流与流经该第六电流端的电流控制流经该第一晶体管的电流与流经该第二晶体管的电流。

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