[发明专利]降冰片烯类、八氟环戊烯和N-苯基马来酰亚胺三元共聚催化剂以及三元共聚方法

说明书

本发明涉及到一种降冰片烯类、八氟环戊烯和N‑苯基马来酰亚胺三元共聚催化剂以及三元共聚方法，其特征在于该催化剂的制备方法如下：在干燥的惰性氛围的三口烧瓶中，二氯二茂钛和配体溶解于第一溶剂中，在130～170rpm下，滴入烷基铝，滴完后在30‑60℃下恒温搅拌30‑60分钟，即得钛‑铝络合物催化剂；按照摩尔比1∶1∶1取降冰片烯类、八氟环戊烯和N‑苯基马来酰亚胺单体加入到多次抽真空、充氮反应釜中，加入第二溶剂溶解；然后加入所述的钛‑铝络合物催化剂，在一定温度和压力下反应；将反应得到的产物倒入含4‑5wt％盐酸的乙醇溶液中，得到的沉淀物用乙醇洗涤至中性，真空干燥后即得到降冰片烯类、八氟环戊烯和N‑苯基马来酰亚胺三元共聚物。

技术领域

本发明涉及到高聚物领域，具体指一种降冰片烯类、八氟环戊烯和N-苯基马来酰亚胺三元共聚催化剂以及三元共聚方法。

背景技术

聚降冰片烯是一种特殊的聚合物，具有优良的力学性能、耐热性、在有机溶剂中的可溶性及透明性，可用于193nm紫外光光刻。这一材料主要缺点是脆性、粘性差和分子量低等。将全氟烯烃插入聚降冰片烯主链中后，可提高聚合物的粘结性和可溶性，并且降低材料本身的吸光率。这种共聚物可作为光阻材料应用于193nm影印技术。而且，微电子工业的发展需要尺寸更小的成分，对适用于线宽为1.3μm及以下线宽的曝光技术，可选择193nm光刻技术，这些技术涉及光刻工艺的各个方面，提出了新的光学材料及其制造和镀膜技术、新型抗蚀剂、用于掩模及其保护薄膜的新材料等有待于解决的问题。因此，为了获得好的光刻新材料，发展了交替共聚材料，主要发展降冰片烯与四氟乙烯或其他组份三元共聚材料，同时应用有侧基的降冰片烯，目的是提高整个基质的抗蚀能力，提高光刻性能，增加材料的粘结性、可溶性和韧性。

目前合成这些材料的方法主要有自由基、活性自由基、金属催化剂等方法。如Proceedings of SPIE Vol.5039(2003)第80～92页公开的光刻材料的合成采用了过氧化物作为自由基聚合的催化剂，Proceedings of SPIE Vol.4690(2002)第127～135页公开的光刻材料的合成采用了AINB(偶氮二异丁腈)作为自由基聚合的催化剂。A.E.Feiring和M.Toriumi等将降冰片烯、四氟乙烯和丙烯酸酯自由基三元共聚等。目前应用的这些合成方法存在反应时间长、获得共聚物收率低、共聚物分子量小、共聚物交替度低等缺点。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术的现状提供一种能够降低反应温度、提高催化效率和共聚物收率的降冰片烯类、八氟环戊烯和N-苯基马来酰亚胺三元共聚用催化剂。

本发明所要解决的另一个技术问题是提供一种反应温度较低、催化效率高和共聚物收率高的降冰片烯类、八氟环戊烯和N-苯基马来酰亚胺三元共聚的方法。

本发明解决上述技术问题所采用的技术方案为：该降冰片烯类、八氟环戊烯和N-苯基马来酰亚胺三元共聚催化剂，其特征在于该催化剂的制备方法如下：

在干燥的惰性氛围的三口烧瓶中，二氯二茂钛和配体溶解于第一溶剂中，在130～170rpm下，滴入烷基铝，滴完后在30-60℃下同样搅拌速率下恒温搅拌30-60分钟，即得钛-铝络合物催化剂；

所述二氯二茂钛与所述配体的摩尔比为1∶10～10∶1，所述二氯二茂钛与所述烷基铝的摩尔比为1∶10～10∶1；

所述配体选自8-羟基喹啉、α，α’-联吡啶、邻二氮菲、异喹啉、喹啉、卟啉或乙酰基丙酮；

所述第一溶剂选自苯、甲苯、四氢呋喃、石油醚、苯甲醚、1,4-二氧六环、1,2-二氯乙烷、环己烷或环己酮；

所述烷基铝选自三异丁基铝或三乙基铝；

所述溶剂的用量与所述二氯二茂钛、烷基铝和配体三者总量的比例为10毫升：0.003～0.030摩尔。

优选所述二氯二茂钛、烷基铝和配体三者的摩尔比优选为1∶8∶6。