[发明专利]一种寻找覆盖区矽卡岩型铁铜金矿的方法在审

专利信息
申请号: 201611110474.7 申请日: 2016-12-06
公开(公告)号: CN106772677A 公开(公告)日: 2017-05-31
发明(设计)人: 汪青松;崔先文;张凯;王芝水;产思维 申请(专利权)人: 安徽省勘查技术院
主分类号: G01V11/00 分类号: G01V11/00
代理公司: 安徽汇朴律师事务所34116 代理人: 李启胜
地址: 230001 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 寻找 覆盖 区矽卡岩型铁铜 金矿 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及地球物理勘探领域,尤其涉及的是一种寻找覆盖区矽卡岩型铁铜金矿的方法。

背景技术

在深部岩浆向上侵入地层过程中,岩浆首先进入围岩裂隙中排挤围岩,同时伴随的岩浆热液不断侵蚀的围作用岩,部分围岩被迫从地层中分离出来,并被岩浆包裹,形成围岩捕虏体。当中酸性岩浆岩侵入碳酸盐岩类地层时,往往会发生矽卡岩化、大理岩化和成矿作用,在围岩接触带及附近形成矽卡岩型矿床。被岩浆包裹的碳酸盐岩类围岩(即围岩捕虏体),在被高温岩浆烘烤产生大理岩化蚀变的同时,其接触带也在发生矽卡岩化作用,是形成矽卡岩型矿床有利部位。因此,大理岩捕虏体是非常有利的成矿地质体,其接触是有利的控矿构造。

随着地壳上升,岩体上部地层被剥蚀,岩体、围岩、捕虏体露出地表。利用地质测量、地球化学测量、山地工程等方法,即可查明地层捕虏体构造情况和矽卡岩化蚀变情况,如有矿化即被发现。当地壳发生下降运动,出露的岩体、围岩和捕虏体再次埋入地下,被新生界等松散沉积物覆盖时,则上述地面地质调查方法无法开展。

由此可见,在中酸性岩体内部及接触附近,大理岩捕虏体是成矿有利条件或为成矿地质体。但是,在覆盖区,如何寻找矿化大理岩捕虏体难度较大。根据大理岩捕虏体密度相对较高的条件,可以利用重力勘探方法,但是识别捕虏体的分辨率不高,难以直接满足钻探定位的技术要求。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的不足,提供了一种寻找覆盖区矽卡岩型铁铜金矿的方法。

本发明是通过以下技术方案实现的:一种寻找覆盖区矽卡岩型铁铜金矿的方法,其特征在于步骤如下:

步骤一、分析成矿地质条件编制勘查区成矿建造构造图;

步骤二、根据成矿建造构造图,确定找矿靶区;

找矿靶区选择条件包括:①处于岩体与碳酸盐岩地层内外接触带;

②岩体为燕山期中酸性闪长(玢)岩、石英二长闪长(玢)岩、花岗闪长(斑)岩和二长花岗岩中的一种或多种;

③地层为古生界寒武系中上统富镁碳酸盐岩(大理岩)和奥陶系下统钙镁碳酸岩地层;

④大地构造位置为华北地台。

步骤三、在找矿靶区开展CSAMT法剖面测量,判断矿化大理岩捕虏体位置;

步骤四、在矿化大理岩捕虏体位置钻探验证矿藏。

作为对上述方案的进一步改进,所述步骤三中判断矿化大理岩捕虏体位置的具体方法如下:①绘制找矿靶区CSAMT电阻率断面图;②在CSAMT电阻率断面图中筛选高阻蘑菇状异常区域或高阻孤岛状异常区域;③在高阻蘑菇状异常区域或高阻孤岛状异常区域周围出现伴生低阻异常区域,判断该低阻异常区域为化大理岩捕虏体所在区域。

作为对上述方案的进一步改进,所述低阻异常区域出现在紧靠高阻蘑菇状异常区域或高阻孤岛状异常区域,低阻异常区域的电阻率小于300欧姆·米。

作为对上述方案的进一步改进,所述高阻蘑菇状异常区域的蘑菇伞盖直径为500-1500米,伞盖顶部到蘑菇根部深度为500-1000米,蘑菇顶部埋深100-300米,蘑菇根部部位电阻率与围岩电阻率差值为500-1000欧姆·米,其核部电阻率高,电阻率值与围岩电阻率值相当。

作为对上述方案的进一步改进,所述高阻孤岛状异常呈椭圆形,其长轴长度为200-500米,短轴长度约为100-400米,其核部电阻率为1000-3000欧姆·米。

作为对上述方案的进一步改进,勘查区成矿建造构造图按照以下方法编制:收集勘查区以往地质矿产和物探资料,编制基岩地质矿产草图;在勘查区开展1/5万高精度重力测量和1/2.5万高精度磁法测量进行隐伏岩体和地层构造推断解释;结合区域地质构造特征;编制基岩地质矿产图;根据基岩地质矿产图结合区域成矿规律,分析成矿地质条件,编制成矿建造构造图。

本发明相比现有技术具有以下优点:根据大理岩、矿石(矿化岩石)、岩体三者之间存在的电阻率高-低-高差异,提出了利用CSAMT法寻找大理岩捕虏体的技术方案,实现间接找矿目的,为覆盖区找矿增添了有效方法。

附图说明

图1是高阻蘑菇状异常的CSAMT电阻率断面图例。

图2是高阻孤岛状异常的CSAMT电阻率断面图例一。

图3是高阻孤岛状异常的CSAMT电阻率断面图例二。

具体实施方式

下面对本发明的实施例作详细说明,本实施例在以本发明技术方案为前提下进行实施,给出了详细的实施方式和具体的操作过程,但本发明的保护范围不限于下述的实施例。

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