[发明专利]用于垂直磁记录介质的堆叠式中间层

权利要求书

1.一种垂直磁记录介质堆叠即PMR介质堆叠，包括：

第一中间层；

第二中间层；以及

形成于该第一中间层和该第二中间层之间的间隔层，其中该间隔层的表面能低于该第一中间层和该第二中间层的表面能；

其中该第一中间层包括第一顶层和第一下层，该第一顶层包括多个顶部晶粒和晶界，该多个顶部晶粒中的每个顶部晶粒均包括圆顶部分，并且该第一下层包括多个下部晶粒；

其中该多个顶部晶粒中的每一个形成在该多个下部晶粒中的对应的一个下部晶粒上方；

其中谷部位于该多个顶部晶粒中的两个相邻顶部晶粒的晶界处；

其中该第二中间层包括第二顶层和第二下层，其中该第二顶层和该第二下层中的每一个包括附加晶粒，该附加晶粒中的每一个包括附加圆顶部分，并且其中该第二顶层的该附加晶粒被形成在该第二下层的该附加圆顶部分上；

其中该附加晶粒的晶粒尺寸小于该下部晶粒的晶粒尺寸；以及

其中该间隔层延伸到该谷部中并且覆盖该多个顶部晶粒中的每个顶部晶粒的该圆顶部分的顶部。

2.如权利要求1所述的PMR介质堆叠，其中：

该多个下部晶粒不包括圆顶部分。

3.如权利要求2所述的PMR介质堆叠，其中该多个顶部晶粒具有比该多个下部晶粒更大的晶界。

4.如权利要求1所述的PMR介质堆叠，进一步包括：

衬底；

在该衬底上的软磁底层；

在该软磁底层上的晶种层，其中该第一中间层和该第二中间层在该晶种层上；

在该第一中间层和该第二中间层上的晶粒隔离起始层；

在该晶粒隔离起始层上的多个磁层；

将该多个磁层中的每一个磁层隔开的交换中断层；

在该交换中断层上的至少一个封盖层；以及

形成于该至少一个封盖层上的外涂层。

5.如权利要求1所述的PMR介质堆叠，其中：

该第一中间层和该第二中间层包括Ru、Co或Pt中的至少一者；并且

该间隔层包括Cu、Al、Ag或Au中的至少一者。

6.如权利要求1所述的PMR介质堆叠，其中该第二下层被形成在该间隔层上。

7.如权利要求1所述的PMR介质堆叠，其中该间隔层不在该第二顶层和该第二下层的该附加晶粒的该附加圆顶部分之间延伸。

8.如权利要求1所述的PMR介质堆叠，其中该第一中间层和该第二中间层包括Ru并且该间隔层包括Cu。

9.如权利要求4所述的PMR介质堆叠，其中该多个磁层包括第一磁层、第二磁层和第三磁层，并且其中该交换中断层包括该第一磁层和该第二磁层之间的第一交换中断层、该第二磁层和该第三磁层之间的第二交换中断层，以及该第三磁层上方的第三交换中断层。

10.一种形成垂直磁记录介质堆叠即PMR介质堆叠的方法，该方法包括：

形成第一中间层和第二中间层；以及

在该第一中间层和该第二中间层之间形成间隔层，

其中该间隔层的表面能低于该第一中间层和该第二中间层的表面能；

其中该第一中间层包括第一顶层和第一下层，该第一顶层包括多个顶部晶粒和晶界，该多个顶部晶粒中的每个顶部晶粒均包括圆顶部分，并且该第一下层包括多个下部晶粒；

其中该多个顶部晶粒中的每一个形成在该多个下部晶粒中的对应的一个下部晶粒上方；

其中谷部位于该多个顶部晶粒中的两个相邻顶部晶粒的晶界处；

其中该第二中间层包括第二顶层和第二下层，其中该第二顶层和该第二下层中的每一个包括附加晶粒，该附加晶粒中的每一个包括附加圆顶部分，并且其中该第二顶层的该附加晶粒被形成在该第二下层的该附加圆顶部分上；

其中该附加晶粒的晶粒尺寸小于该下部晶粒的晶粒尺寸；以及

其中该间隔层延伸到该谷部中并且覆盖该多个顶部晶粒中的每个顶部晶粒的该圆顶部分的顶部。