[发明专利]Si位过渡金属Ni掺杂硅酸镧的合成在审
申请号: | 201611056114.3 | 申请日: | 2016-11-25 |
公开(公告)号: | CN108110287A | 公开(公告)日: | 2018-06-01 |
发明(设计)人: | 王绚 | 申请(专利权)人: | 山东高洁环保科技有限公司 |
主分类号: | H01M8/1016 | 分类号: | H01M8/1016;C01B33/20 |
代理公司: | 烟台上禾知识产权代理事务所(普通合伙) 37234 | 代理人: | 刘志毅 |
地址: | 264000 山东省烟台*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 粉末状固体 球磨 过渡金属 硅酸镧 掺杂 球磨机 合成 高温电阻炉 充分混合 玛瑙研钵 无水乙醇 混合物 掺杂硅 蒸发皿 乙醇 称量 蒸干 坩埚 加热 渗漏 装入 保证 | ||
本发明涉及Si位过渡金属Ni掺杂硅酸镧的合成,包括:NiO、La
技术领域
本发明涉及Si位过渡金属Ni掺杂硅酸镧的合成,属于合成化学领域。
背景技术
新型的磷灰石型硅酸镧固体电解质材料,实现了在中低温下,具有低活化能、化学性质稳定、离子导电性较好及对电极和连接材料兼容性好的特性。因而,磷灰石型硅酸镧化合物作为固体燃料电池的电解质材料的研究具有重要意义,得到人们的广泛关注。现阶段,关于硅酸镧的研究报道主要集中在材料的制备技术和掺杂改性等方面,通过掺杂改善其电性能是研究的热点。
本专利将采用固相反应法合成一系列不同含量的Si位过渡金属Ni掺杂硅酸镧陶瓷片,并且对陶瓷片进行XRD、SEM、电导率和密度的表征测定,得到在硅酸镧Si位掺杂不同含量过渡金属Ni元素后对其原本导电性影响的研究。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供Si位过渡金属Ni掺杂硅酸镧的合成,技术方案如下:NiO、La
本发明的有益效果是:制备工艺简易环保,成本低,适用范围广。
具体实施方式
实施例1
NiO、La
实施例2
NiO、La
实施例3
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