[发明专利]用于光谱仪光学系统恒温的控制系统及方法有效
申请号: | 201610347331.1 | 申请日: | 2016-05-24 |
公开(公告)号: | CN105867472B | 公开(公告)日: | 2018-03-27 |
发明(设计)人: | 王先国;李太福;姚立忠;唐德东;田应甫;杨永龙;孙小媛;李清玲;张恒健 | 申请(专利权)人: | 重庆科瑞分析仪器有限公司;重庆科技学院 |
主分类号: | G05D23/30 | 分类号: | G05D23/30 |
代理公司: | 重庆蕴博君晟知识产权代理事务所(普通合伙)50223 | 代理人: | 王玉芝 |
地址: | 401326 重庆*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 光谱仪 光学系统 恒温 控制系统 方法 | ||
1.一种用于光谱仪光学系统恒温的控制系统,包括加热单元、测温传感器和控制单元,其中,所述控制单元包括脉冲发生器、放大电路、电压比较器、驱动电路和MOS场效应晶体管;
所述加热单元,用于采用脉冲电流对光谱仪光学系统进行加热;
所述测温传感器,用于采集所述加热单元的温度信号加载到所述控制单元;
所述脉冲发生器,用于产生正弦正半波脉冲,所述脉冲发生器产生的正弦正半波脉冲的频率、脉宽和幅值为固定值;
所述放大电路,用于对所述测温传感器采集的温度信号进行放大处理,并且设定温度;
所述电压比较器,用于对所述脉冲发生器产生的脉冲信号与所述放大电路输出的电压信号进行比较,并将比较后形成的脉冲信号加载到所述驱动电路上;
所述驱动电路,用于将所述脉冲信号放大后推动所述MOS场效应晶体管,给所述加热单元送电;
在所述脉冲发生器产生的脉冲信号与所述放大电路输出的电压信号进行比较的过程中,比较后形成的所述脉冲信号的脉冲宽度随所述温度信号的改变而改变。
2.如权利要求1所述的用于光谱仪光学系统恒温的控制系统,其中,
所述放大电路的设定的温度范围为0~50℃。
3.一种用于光谱仪光学系统恒温的控制方法,采用如权利要求1-2任一项所述的用于光谱仪光学系统恒温的控制系统对光谱仪光学系统进行恒温控制,其方法如下:
测温传感器从加热单元采集到的温度信号加载到控制单元,并对所述控制单元产生的固定频率的正弦正半波上进行斩波;
当所述测温传感器采集到的温度远小于设定的温度值时,斩波后得到的脉冲信号的脉冲宽度宽,将此斩波后的脉冲信号加载到驱动电路上,所述驱动电路驱动MOS场效应晶体管,所述MOS场效应晶体管在一个加热周期中导通时间长;
当所述测温传感器采集到的温度接近于设定的温度值时,斩波后得到的脉冲信号的脉冲宽度窄,将此时斩波后的脉冲信号加载到驱动电路上,所述驱动电路驱动MOS场效应晶体管,所述MOS场效应晶体管在一个加热周期中导通时间短;
光学系统损失的热量与加热补充的热量相同,光学系统温度保持恒定。
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