[发明专利]一种大面积纳米阵列的制备方法有效
| 申请号： | 201510274630.2 | 申请日： | 2015-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN104986728B | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 欧欣;贾棋;斯蒂芬·福斯柯;王曦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;德国亥姆霍兹德累斯顿罗森多夫研究中心 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 大面积 纳米 阵列 制备 方法 | ||
1.一种大面积纳米阵列的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括：
提供一衬底，采用低能离子束辐射所述衬底的表面，形成锯齿状纳米结构周期阵列；
采用沉积工艺在所述锯齿状纳米结构周期阵列的一侧沉积材料层，形成纳米结构阵列。
2.根据权利要求1所述的大面积纳米阵列的制备方法，其特征在于：所述衬底为由至少两种化学元素所组成的单晶材料。
3.根据权利要求1所述的大面积纳米阵列的制备方法，其特征在于：采用低能离子束正向辐照所述衬底表面，所述衬底的整个待构造表面受到相同条件的离子束辐照。
4.根据权利要求1所述的大面积纳米阵列的制备方法，其特征在于：所述离子束产生的离子动能到50eV到100keV之间。
5.根据权利要求1所述的大面积纳米阵列的制备方法，其特征在于：纳米制备离子辐照过程中，所述衬底是由一个接触式加热器和/或由离子束流产生的自加热效应来进行加热。
6.根据权利要求5所述的大面积纳米阵列的制备方法，其特征在于：所述衬底在离子束辐照过程中的加热温度至少要达到材料的再结晶温度。
7.根据权利要求5所述的大面积纳米阵列的制备方法，其特征在于：所述衬底在离子辐照过程中的加热温度最高为到材料表面台阶的Ehrlich-Schwoebel势垒失效温度。
8.根据权利要求1所述的大面积纳米阵列的制备方法，其特征在于：所述沉积工艺为分子束外延或者化学气相沉积工艺，沉积的角度范围为0～90°，沉积的材料层为金属、半导体或者氧化物。
9.根据权利要求1所述的大面积纳米阵列的制备方法，其特征在于：所述材料层的宽度最大不超过锯齿状纳米结构周期阵列的待沉积侧壁的宽度。
10.根据权利要求1所述的大面积纳米阵列的制备方法，其特征在于：所述纳米阵列为纳米线、纳米管或纳米颗粒阵列。
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