[发明专利]一种阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及电子技术领域，尤其涉及一种阵列基板及显示装置。

背景技术

液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)主要由TFT阵列基板和彩膜基板构成，其中，由TFT阵列基板和彩膜基板对盒后的液晶显示器上设有R(红色)像素、G(绿色)像素和B(蓝色)像素，其中，如图1所示，即R像素的VT曲线(即驱动电压-光透过率变化曲线)为a；G像素的VT曲线为b；B像素的VT曲线为c。

可以看出，曲线a与曲线b基本重合，尤其的，在同一驱动电压下，曲线a、曲线b几乎同时达到波峰，而曲线c的波峰却位于曲线a的波峰和曲线b的波峰的右侧，也就是说，在同一驱动电压下，B像素的光透过率，与R像素和G像素的光透过率差距较大，如此，导致液晶显示面板在进行显示时，在同一驱动电压下，由于RGB三个像素的光透过率不同，导致液晶显示器产生色偏现象，影响液晶显示器的成像质量。

发明内容

本发明的实施例提供一种阵列基板及显示装置，一定程度改善了显示装置产生色偏现象的问题，提高了显示装置的成像质量。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

第一方面，本发明的实施例提供一种阵列基板，所述阵列基板包括由交叉设置的栅线和数据线划分出的第一像素单元、第二像素单元和第三像素单元，

所述第一像素单元与红色色阻对应，所述第一像素单元中包括第一TFT的源极与漏极之间形成的第一TFT沟道；

所述第二像素单元与绿色色阻对应，所述第二像素单元中包括第二TFT的源极与漏极之间形成的第二TFT沟道；

所述第三像素单元与蓝色色阻对应，所述第三像素单元中包括第三TFT的源极与漏极之间形成的第三TFT沟道；

其中，所述第三TFT沟道的宽度与长度的比值大于所述第二TFT沟道的宽度与长度的比值；或者，所述第三TFT沟道的宽度与长度的比值大于所述第一TFT沟道的宽度与长度的比值。

结合第一方面，在第一方面的第一种可能的实现方式中，

所述第三TFT沟道的宽度与长度的比值大于所述第二TFT沟道的宽度与长度的比值；并且，

所述第三TFT沟道的宽度与长度的比值大于所述第一TFT沟道的宽度与长度的比值。

结合第一方面，在第一方面的第二种可能的实现方式中，

所述第三TFT沟道的宽度与长度的比值大于所述第一TFT沟道的宽度与长度的比值；并且，

所述第一TFT沟道的宽度与长度的比值大于所述第二TFT沟道的宽度与长度的比值。

结合第一方面以及第一方面的第一至第二种可能的实现方式中的任一种可能的实现方式，在第一方面的第三种可能的实现方式中，

所述第一像素单元，还包括至少两条第一条状电极，所述第一条状电极之间具有第一刻缝；

所述第二像素单元，还包括至少两条第二条状电极，所述第二条状电极之间具有第二刻缝；

所述第三像素单元，还包括至少两条第三条状电极，所述第三条状电极之间具有第三刻缝；

其中，所述第三刻缝宽度与所述第三条状电极宽度的比值大于所述第一刻缝宽度与所述第一条状电极宽度的比值，或者，所述第三刻缝宽度与所述第三条状电极宽度的比值大于所述第二刻缝宽度与所述第二条状电极宽度的比值。

结合第一方面以及第一方面的第一至第二种可能的实现方式中的任一种可能的实现方式，在第一方面的第四种可能的实现方式中，

所述第三刻缝宽度与所述第三条状电极宽度的比值大于所述第一刻缝宽度与所述第一条状电极宽度的比值，并且，

所述第三刻缝宽度与所述第三条状电极宽度的比值大于所述第二刻缝宽度与所述第二条状电极宽度的比值。

结合第一方面以及第一方面的第一至第二种可能的实现方式中的任一种可能的实现方式，在第一方面的第五种可能的实现方式中，

所述第三刻缝宽度与所述第三条状电极宽度的比值大于所述第一刻缝宽度与所述第一条状电极宽度的比值，并且，

所述第一刻缝宽度与所述第一条状电极宽度的比值大于所述第二刻缝宽度与所述第二条状电极宽度的比值。

结合第一方面以及第一方面的第一至第二种可能的实现方式中的任一种可能的实现方式，在第一方面的第六种可能的实现方式中，

所述第一TFT沟道的宽度、所述第二TFT沟道的宽度以及所述第三TFT沟道的宽度范围均为5μm至35μm；