[发明专利]使用线性累加的x射线源

权利要求书

1.一种x射线源，包括：

真空腔室；

对于x射线透明的窗口，其附连到所述真空腔室的壁上；

在所述真空腔室内的至少一个电子束发射器；

在所述真空腔室内的至少两个靶，所述至少两个靶中的每个靶包括：

基板，其包括第一选定材料；以及

多个离散结构，其包括根据其x射线产生特性选择的第二材料，

其中，所述多个离散结构中每一个与所述基板成热接触；

所述离散结构中至少一个具有小于10微米的厚度；以及

所述离散结构中所述至少一个的每个横向尺寸小于50微米；以及

至少一个x射线光学元件，所述至少一个x射线光学元件被定位成使得从所述至少两个靶中的一个靶发射的x射线由所述至少一个x射线光学元件导向至所述至少两个靶中的另一个靶上。

2.根据权利要求1所述的x射线源，其中，

所述多个离散结构嵌入于所述基板表面内。

3.根据权利要求1所述的x射线源，其中，

所述多个离散结构埋入于所述基板表面内小于100微米的深度内。

4.根据权利要求1所述的x射线源，还包括：

用于将从所述至少一个电子束发射器发射的电子束导向至所述至少两个靶上的器件。

5.根据权利要求4所述的x射线源，其中，

用于导向电子束的器件包括电子光学器件。

6.根据权利要求4所述的x射线源，其中，

用于导向电子束的器件包括静电透镜。

7.根据权利要求4所述的x射线源，其中，

用于导向电子束的器件包括磁透镜。

8.根据权利要求4所述的x射线源，其中，

所述用于导向电子束的器件允许通过选自下列的操作来控制所述电子束：

聚焦、发散、散焦、扫描、光栅-扫描、停留、消隐、扫动、改变射束方向、改变射束强度分布、形成多个电子束、改变束电流密度和改变电子束中的电子加速度。

9.根据权利要求4所述的x射线源，其中，

所述用于导向电子束的器件允许将所述电子束聚焦为在至少一个尺寸上小于30微米的斑点大小。

10.根据权利要求4所述的x射线源，其中，

所述用于导向电子束的器件允许以一定图案来导向所述电子束，所述图案对应于所述多个离散结构中至少某些的位置。

11.根据权利要求10所述的x射线源，其中，

所述用于导向电子束的器件允许以一定图案来导向所述电子束，所述图案对应于所述多个离散结构中至少某些的位置，其中，所述图案在时间上响应于来自监视所述发射的x射线的预定特性的检测器的信号而被调适。

12.根据权利要求11所述的x射线源，其中，

所述发射的x射线的预定特性选自下列：

亮度、辉度、总强度、通量、能谱、射束分布和射束发散。

13.根据权利要求1所述的x射线源，其中，

所述多个离散结构被排列成线性阵列。

14.根据权利要求1所述的x射线源，其中，

所述多个离散结构的形状选自下列：

正棱柱、直四棱柱、立方体、三棱柱、梯形棱柱、锥体、四面体、圆柱、球形、和卵形体。

15.根据权利要求1所述的x射线源，其中，

所述第一选定材料选自下列：

铍、金刚石、石墨、硅、氮化硼、碳化硅、蓝宝石和类金刚石。