[实用新型]高频超声编码激励发射系统有效
申请号: | 201420845266.1 | 申请日: | 2014-12-29 |
公开(公告)号: | CN204347240U | 公开(公告)日: | 2015-05-20 |
发明(设计)人: | 吕铁军;向永嘉;顾天明;崔崤峣 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州生物医学工程技术研究所 |
主分类号: | G01S7/524 | 分类号: | G01S7/524 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 曹毅 |
地址: | 215000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高频 超声 编码 激励 发射 系统 | ||
1.高频超声编码激励发射系统,其特征在于所述的高频超声编码激励发射系统包括编码与控制模块、MOSFET驱动模块、P型MOSFET和N型MOSFET、脉冲幅值调整模块;编码与控制模块分别与MOSFET驱动模块输入端、脉冲幅值调整模块输入端连接,P型MOSFET和N型MOSFET分别与MOSFET驱动模块输出端和脉冲幅值调整模块输出端连接。
2.根据权利要求1所述的高频超声编码激励发射系统,其特征在于:所述编码与控制模块包括现场可编辑门阵列。
3.根据权利要求1所述的高频超声编码激励发射系统,其特征在于:MOSFET驱动模块包括逻辑电平转换器件或逻辑电平转换电路、时序调整器件、大电流MOSFET驱动器件和电路。
4.根据权利要求1所述的高频超声编码激励发射系统,其特征在于:所述的脉冲幅值调整模块包括高压电源、数模转换器、高压输出调节部分。
5.根据权利要求 3 所述的高频超声编码激励发射系统,其特征在于:时序调整器件为单个DS1100U、多个DS1100U或同轴线。
6.根据权利要求4所述的高频超声编码激励发射系统,其特征在于:所述的高压电源为高压正电源EMCO-CA02P与高压负电源EMCO-CA02N,数模转换器接高压正电源EMCO-CA02P与高压负电源EMCO-CA02N的电压输出调节端口。
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