[实用新型]一种基于单个加热元件的甲烷传感器有效

专利信息
申请号: 201420647114.0 申请日: 2014-10-31
公开(公告)号: CN204154679U 公开(公告)日: 2015-02-11
发明(设计)人: 马洪宇;刘晓文;丁恩杰;赵小虎 申请(专利权)人: 中国矿业大学
主分类号: G01N27/14 分类号: G01N27/14
代理公司: 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 代理人: 杨晓玲
地址: 221116 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 单个 加热 元件 甲烷 传感器
【权利要求书】:

1.一种基于单个加热元件的甲烷传感器,其特征在于:它包括加热元件(101)、测量元件(102)与环境温度测量元件(103);所述环境温度测量元件(103)设在支座(100)上;

所述加热元件(101)由两个固定端(1001)、两个并排设置的支撑臂A(1012)与加热器(1011)构成,两个支撑臂A(1012)的两端分别与固定端(1001)和加热器(1011)相连接,形成二端子器件;所述每个支撑臂A(1012)的长度至少300um;所述测量元件(102)由两个固定端(1001)、测量构件(1021)和两个支撑臂B(1022)构成,两个支撑臂B(1022)分别与测量构件(1021)的两端相连接,两个支撑臂B(1022)的另一端分别与两个固定端(1001)相连,构成二端子器件;所述每个支撑臂B(1022)的长度至少100um;所述加热元件(101)的固定端(1001)与测量元件(102)的固定端(1001)相互独立的设在支座(100)上,其余部分悬置在空气中;加热元件(101)和测量元件(102)在结构上都为悬臂梁结构;所述加热元件(101)的加热器(1011)与测量元件(102)的测量构件(1021)不接触,相距2um至200um;

所述支座(101)包括衬底(11)与设在衬底(11)上的隔离氧化硅层(12),及设在隔离氧化硅(12)上的顶层单晶硅层(13);加热元件(101)、测量元件(102)与环境温度测量元件(103)采用设在隔离氧化硅(12)上的顶层单晶硅层(13)加工形成,加热元件(101)、测量元件(102)与环境温度测量元件(103)的硅结构分别都与隔离氧化硅(12)上的其它的顶层单晶硅层(13)隔离不相连接;所述衬底(11)为硅或其它可采用MEMS工艺加工的材料;所述设在支座(100)上的环境温度测量元件(103)包括两个电极引出端(1031)、及测量电阻(1032);

加热元件(101)与测量元件(102)的固定端(1001)及环境温度测量元件(103)的电极引出端(1031)由顶层单晶硅层(13)加工形成,在顶层单晶硅层(13)外有氧化硅层(23),在氧化硅层(23)上设有电引出焊盘金属(22);所述固定端(1001)与电极引出端(1031)的顶层单晶硅层(13)内设有掺杂硅层(24);所述电引出焊盘金属(22)通过氧化硅层(23)的窗口与固定端(1001)的掺杂硅层(24)相接触构成欧姆接触;

所述加热元件(101)的伸出在空气中的支撑臂A(1012)与加热器(1011)以及测量元件(102)的伸出在空气中的测量构件(1021)、支撑臂B(1022)的外表面设有钝化保护层(14);所述环境温度测量元件(103)的测量硅电阻(1031)的外表面同样设有钝化保护层(14);所述钝化保护层(14)为氧化硅,或氧化铪,或氧化硅/氧化铝复合层,或氧化铪/氧化铝复合层,或氧化铪/氮化硅复合层,或氧化铝/氮化硅复合层,或氧化硅/氮化硅复合层,或氧化硅、氧化铪、氧化铝、氮化硅几种材料组合形成的复合层;其中氧化硅的厚度至少10nm,氧化铪的厚度至少为5um,氧化铝厚度至少6nm,氮化硅厚度至少10nm,整个钝化保护层的厚度不超过1um。

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