[发明专利]玻璃电极的响应玻璃用清洗液和响应玻璃清洗方法有效
申请号: | 201410441427.5 | 申请日: | 2014-09-01 |
公开(公告)号: | CN104422723B | 公开(公告)日: | 2019-03-15 |
发明(设计)人: | 芝田学;西村菜穗子;森健;山内悠;小椋克昭 | 申请(专利权)人: | 株式会社堀场制作所 |
主分类号: | G01N27/38 | 分类号: | G01N27/38 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 周善来;李雪春 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 玻璃 电极 响应 清洗 方法 | ||
本发明提供玻璃电极的响应玻璃用清洗液和响应玻璃清洗方法,目的是在玻璃电极的响应玻璃的清洗时,能容易地保持一定的腐蚀速率。玻璃电极(1)的响应玻璃用清洗液用于清洗在玻璃电极(1)上使用的响应玻璃(2),与清洗后在响应玻璃(2)的表面形成水合层的水合层形成液配合使用,含有规定浓度的氟化氢铵,或者含有氢氟酸和包含氟离子的强碱的盐。
技术领域
本发明涉及清洗在玻璃电极上使用的响应玻璃的、玻璃电极的响应玻璃用清洗液和玻璃电极的响应玻璃清洗方法。
背景技术
在玻璃电极上使用的响应玻璃,由于保管状态和使用状态,有时在形成在表面部分的水合层上附着杂质(污垢)。公知的是,使用了这种响应玻璃的玻璃电极,会因电极反应的阻碍等使响应性恶化。
作为使玻璃电极的响应性恶化恢复的方法,例如有专利文献1记载的响应玻璃的清洗方法。
在专利文献1中,通过将响应玻璃在供给到清洗槽内的药液(例如氢氟酸)中浸渍规定时间,进行响应玻璃的清洗。
现有技术文献
专利文献1:日本专利公开公报特开2003-262605号
可是,所述文献中的响应玻璃的清洗,通过氢氟酸腐蚀除去形成在响应玻璃的表面的水合层来进行。此外,氢氟酸在溶液中以如下所述的方式解离。
在此,支配水合层的腐蚀的离子种类为HF2-离子,但是由于在氢氟酸溶液中F-离子基本不解离,所以基本不生成HF2-离子。因此,即使因腐蚀使HF2-离子被消耗,氢氟酸生成并供给所述HF2-离子的缓冲能力也低,控制腐蚀速率非常困难。
因此会产生下述问题:只要略微偏离预定的氢氟酸的浓度和腐蚀时间,就不能进行所希望的腐蚀。此外,当用腐蚀将响应玻璃过度削去了时,还会产生下述问题:氟硅化物等副产物附着在响应玻璃的表面,导致玻璃电极的响应性恶化。此外,会产生下述问题:缓冲能力低的氢氟酸的蚀刻速率,还受温度等环境因素影响,导致难以进一步进行所希望的蚀刻。
发明内容
本发明是用于解决所述的问题的发明,本发明的目的是提供一种玻璃电极的响应玻璃用清洗液和玻璃电极的响应玻璃清洗方法,能够容易地控制腐蚀速率,能够对玻璃电极进行最合适的清洗。
即,本发明提供一种玻璃电极的响应玻璃用清洗液,其用于清洗在玻璃电极上使用的响应玻璃,与清洗后在所述响应玻璃的表面形成水合层的水合层形成液配合使用,含有规定浓度的氟化氢铵,或者含有氢氟酸和包含氟离子的强碱的盐。
按照所述构成,响应玻璃被氟化氢铵或氢氟酸和包含氟离子的强碱的盐腐蚀。由于氟化氢铵或氢氟酸和包含氟离子的强碱的盐对腐蚀做出贡献的离子(HF2-离子)即使被消耗,生成并供给HF2-离子的缓冲能力也高,所以相比于氢氟酸能容易地控制腐蚀速率,即使对预定的氢氟酸的浓度和腐蚀时间不进行严格管理,也可以进行所希望的腐蚀。此外,因为缓冲能力高,所以即使环境因素稍微变化也可以控制腐蚀速率。
优选的是,所述水合层形成液为中性或酸性,如果水合层形成液例如是纯水或去离子水等中性的液体,则在水合层形成工序后无需进行水洗工序,能省略该水洗工序,从而能使响应玻璃的清洗工序简便。此外,水合层形成液如果是酸性的,则因解离的氢离子在溶液中形成水合氢离子(オキソニウムイオン),通过所述水合氢离子能更容易形成水合层,能缩短反应时间。
优选的是,所述氟化氢铵的浓度为4质量%以下。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社堀场制作所,未经株式会社堀场制作所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410441427.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种快速崩解制剂崩解时限测定装置
- 下一篇:质量平衡装置和采用该装置的切片机