[发明专利]抗扰触控感测结构有效
申请号: | 201410367553.0 | 申请日: | 2014-07-29 |
公开(公告)号: | CN105320334B | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 李杏樱;唐大庆;卢添荣 | 申请(专利权)人: | 南京瀚宇彩欣科技有限责任公司;瀚宇彩晶股份有限公司 |
主分类号: | G06F3/041 | 分类号: | G06F3/041 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 赵蓉民 |
地址: | 210038 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 触控感测 第一基板 斑块 共平面 间隙区 | ||
1.一种抗扰触控感测结构,包括:
第一基板;
多个触控感测单元,共平面地设置于所述第一基板上,相邻的所述触控感测单元之间形成第一间隙区;以及
至少一个第一抗扰斑块,设置于所述第一间隙区内;
其中,所述第一抗扰斑块与所述触控感测单元具有相同材质。
2.如权利要求1所述的抗扰触控感测结构,其中所述第一抗扰斑块电性浮接。
3.如权利要求1所述的抗扰触控感测结构,其中所述多个触控感测单元包括多个沿第一方向导通的第一触控感测组件,以及多个沿第二方向导通的第二触控感测组件。
4.如权利要求1所述的抗扰触控感测结构,其中所述第一抗扰斑块的宽度介于50μm与70μm之间,且所述第一抗扰斑块与相邻的触控感测单元之间间隔一距离。
5.如权利要求1所述的抗扰触控感测结构,其中所述第一间隙区的宽度介于70μm与130μm之间。
6.如权利要求1所述的抗扰触控感测结构,进一步包括:
接地单元,与所述多个触控感测单元共平面,且与相邻的所述触控感测单元之间形成第二间隙区;以及
至少一个第二抗扰斑块,设置于所述第二间隙区内。
7.如权利要求1所述的抗扰触控感测结构,通过所述第一抗扰斑块设置于相邻触控感测单元所形成的所述第一间隙区之间,使相邻触控感测单元的间距加大、不会受到后续工艺的粒子污染而形成短路,从而提供电性抗扰的效用。
8.如权利要求7所述的抗扰触控感测结构,其中所述后续工艺至少包括机械薄化工艺、化学薄化工艺、机械化学薄化工艺、黄光工艺、薄膜沉积工艺、和/或薄膜蚀刻工艺。
9.如权利要求1所述的抗扰触控感测结构,其中所述第一抗扰斑块为块状斑块或包含至少一个弯折状斑块。
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