[发明专利]带有自毁功能的机载高速大容量数据存储系统及自毁方法

说明书

技术领域

本发明涉及数据存储技术领域，特别涉及一种带有自毁功能的数据存储系统。

背景技术

随着电子科技的快速发展，数据存储技术也有了长足进步。高速大容量数据存储技术的发展由存储的介质和存储体系两方面的发展构成。目前存储介质集成度不断提高，数据存储的数量级从以前的MByte到GByte,甚至跃升到TByte.在所有的存储介质中，NAND FLASH Memory以其独有的大容量特点在高速大容量存储系统中获得了广泛的应用。NAND Flash的存储系统具有可靠性高、环境适应性强、体积小、重量轻等优点。IEEE 1394总线在机载系统中常用于大容量数据传输的数据总线，它将航电系统中数据传输的速率提升到了800Mbps。

机载数据的安全也是当前航空技术领域的一研究热点，大容量存储介质中存储了大量机载敏感数据，处于特殊环境时，数据的安全销毁，防止被他人恢复获取成为数据存储领域的一大难点。自毁方式分为两种：软毁和硬毁。软毁采取软件擦除的方式清楚存储介质中的数据，该方式由于存储介质本身的特点，可通过数据恢复技术将之前存储的数据恢复。而硬毁方式采用电流烧毁的方式，目前来说是相对可靠的，但机载环境下提供的毁钥信号能量低时间短，在技术方面还没有很完善，难以真正实现存储介质中数据的销毁。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明的发明目的在于提供一种带有自毁功能的机载高速大容量数据存储系统，通过物理自毁解决了传统毁钥过程中无法切实销毁存储介质中的数据，从而起到保护机载数据的作用。

本发明的发明目的通过以下技术方案实现：

一种带有自毁功能的机载高速大容量数据存储系统，包含CPU控制器、NAND Flash存储阵列，其特征在于还包含毁钥模块，所述毁钥模块中包括储能模块、升压模块、编程控制模块；

所述升压模块用于根据CPU控制器发出的毁钥命令将毁钥接口送过来的毁钥信号进行升压放大；

所述储能模块用于对升压后的毁钥信号进行储量形成高压脉冲信号；

所述编程控制模块用于将高压脉冲信号逐一释放到存有秘钥的NAND Flash存储阵列上的电地管脚进行烧毁。瞬间的高压脉冲会引起芯片内部有源区烧毁击穿，并在烧毁过程中会引起芯片晶圆开裂，从而达到NandFlash数据无法恢复，保护机载秘钥的作用。

本发明的另一目的在于提供一种机载高速大容量数据存储系统的自毁方法，包含以下步骤：

a)CPU控制器发出毁钥信号启动毁钥程序；

b)将毁钥信号进行升压放大；

c)将升压的毁钥信号进行储量形成高压脉冲信号；

d)将高压脉冲信号逐一释放到存有秘钥的NAND Flash存储阵列上的电地管脚上进行烧毁。

进一步，还包含以下步骤：

e)在数据烧毁完成后，CPU控制器自行关闭对外接口，防止NAND Flash芯片在烧毁过程中短路引起其他器件短路。

与现有技术相比，本发明的有益效果在于：本发明结合800Mbps IEEE1394、NandFlash存储技术以及物理自毁提出带有自毁功能的机载数据高速大容量数据存储系统。在实际航空机载存储设备中，数据存储的可靠性及数据安全性方面提高了一个等级，解决了传统毁钥过程中无法切实销毁存储介质中的数据，从而起到保护机载数据的作用。

附图说明

图1为本发明的系统结构图。

图2为本发明中自毁模块的结构示意图。

具体实施方式

下面给出一种本发明的实施方式和步骤。

如图1所示，本发明以IEEE1394b总线作为数据交互总线，内部经过CPU控制器、SATA控制器、NAND Flash控制器，将数据存储或读取在NAND Flash存储阵列中，毁钥模块直接与NAND Flash存储阵列交联。如图2所示，毁钥模块包括储能模块、升压模块、编程控制模块，当接收到CPU控制器发出的毁钥命令时，毁钥模块中升压模块将毁钥接口送过来的毁钥信号进行升压放大，储能模块对升压后的毁钥信号进行储存形成高压脉冲信号，编程控制模块将高压脉冲信号逐一释放到存有秘钥的NAND Flash存储阵列上的电地管脚进行烧毁。瞬间的高压脉冲会引起芯片内部有源区烧毁击穿，并在烧毁过程中会引起芯片晶圆开裂，从而达到NandFlash数据无法恢复，保护机载秘钥的作用。一旦数据销毁完成，CPU控制器自行关闭对外接口，从而防止NAND Flash芯片在烧毁过程中短路引起其他器件短路。

以上所述，仅为本发明的一个具体实例，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明所述的技术范围内，所做的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围内。因此，本发明的保护范围应以权力要求书的保护范围为准。