[发明专利]微机电系统开关有效

专利信息
申请号: 201410262092.0 申请日: 2014-06-12
公开(公告)号: CN104064407A 公开(公告)日: 2014-09-24
发明(设计)人: 刘泽文;龚著浩;郭昕 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: H01H59/00 分类号: H01H59/00
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 张大威
地址: 100084 北京*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 微机 系统 开关
【说明书】:

技术领域

发明涉及微电子机械系统技术领域,尤其涉及一种微机电系统开关。

背景技术

微机电系统(Microelectromechanical Systems,MEMS)开关,是利用MEMS技术制作的一种射频开关,它通过微机械结构的运动,来控制射频信号的导通与断开。由于与传统的PIN及FET微波开关器件相比,射频MEMS开关不但具有高隔离度、低损耗、高线性度、低功耗、宽频带等极其优异的微波性能,同时具有批量制作、尺寸小、易于与先进的微波射频电路相集成的特点,是实现小型化、低成本、高性能的微波收发前端系统的关键技术,在卫星通讯、雷达、汽车、仪器等领域有着广泛的应用。但传统射频MEMS开关容量较低、可靠性较差。

对于射频MEMS开关,其功率容量是指使开关完成一定循环次数而不发生失效的输入功率极限,而可靠性则是指开关在一定功率条件下能正常工作的循环次数。因此,功率容量与可靠性密切相关。对于传统的利用金属—金属之间的直接接触来控制信号导通与断开的接触式射频MEMS开关,大功率下开关导通时的接触点金属微熔焊或者开关烧毁的热失效问题是制约其功率容量和可靠性的主要因素。解决接触点热失效问题最直接的方法即增加接触点个数,但在射频微波频段,随着频率的增加,电流的趋肤效应会越来越明显,使得电流集中在外围的接触点上,从而增加接触点个数的效果将大打折扣。此外,开关闭和时悬臂梁不能保证和每个接触点都良好的接触。

发明内容

本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。

为此,本发明的目的在于提出一种功率容量大、可靠性高、结构简单的射频微电系统开关。

为了实现上述目的,本发明实施例的射频微电系统开关,包括:基底;微波传输线,所述微波传输线设置在所述基底上;多通道条形极板,所述多通道条形极板的一端固定设置在所述基底上;信号功率分配过渡区,所述信号功率分配过渡区与所述多通道条形极板的固定端相连,用于实现对所述多通道条形极板的功率分配;驱动电极,所述驱动电极设置在所述基底上且位于所述多通道条形极板的正下方,所述驱动电极上电时驱动所述多通道条形极板弯曲以使所述多通道条形极板与所述微波传输线接触而形成通路。

根据本发明实施例的微机电系统开关,采用多通道条型极板,加上驱动电压后多通道条型极板与微波传输线形成接触,这样不仅增加了功率容量,还保证了多通道条型极板与微波传输线接触的完整性,进而提高开关功率容量和可靠性。通过信号功率分配过渡区实现射频信号电流与功率的优化分配,进一步改善其功率容量和可靠性。

在一些示例中,所述多通道条形极板由至少三根固定端相连、自由端相互独立的悬臂梁组成。

进一步地,在一些示例中,所述悬臂梁在施加驱动电压时与所述微波传输线形成接触点。

进一步地,在一些示例中,所述接触点可设置在所述悬臂梁下表面或所述微波传输线上。

在一些示例中,所述悬臂梁的材料为金属。

在一些示例中,所述基底的材料为玻璃、陶瓷和高阻硅。

在一些示例中,所述微波传输线为共面波导或微带线结构。

在一些示例中,所述驱动电极与所述信号线的边界为直线或突出结构。

在一些示例中,所述信号功率分配过渡区通过锚点或设置在所述微波传输线上与所述多通道条形极板相连。

本发明附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本发明的实践了解到。

附图说明

图1是根据本发明一个实施例的微机电系统开关的结构框图;

图2是本发明一个实施例的微机电系统开关示意图;

图3是图2的俯视图;

图4是图3中的A-A’的剖面图;

图5是图2的前视图。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,旨在用于解释本发明,而不能理解为对本发明的限制。

图1是根据本发明一个实施例的微机电系统开关的结构框图。如图1所示,本发明实施例的微机电系统开关,包括:基底100、微波传输线200、多通道条形极板300、信号功率分配过渡区400和驱动电极500。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学,未经清华大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410262092.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top