[发明专利]晶粒取向电磁钢板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201380056564.0 申请日: 2013-10-29
公开(公告)号: CN104755636B 公开(公告)日: 2016-10-19
发明(设计)人: 高城重宏;井上博贵;冈部诚司;花泽和浩 申请(专利权)人: 杰富意钢铁株式会社
主分类号: C21D8/12 分类号: C21D8/12;H01F1/16
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 李洋;舒艳君
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 晶粒 取向 电磁 钢板 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种晶粒取向电磁钢板,其实测板厚为t(mm),具有线状地扩展的闭合磁畴区域,该闭合磁畴区域在相对于钢板面内的轧制方向成60°~120°的方向上,以轧制方向的间隔为s(mm)的方式周期性地形成,

所述晶粒取向电磁钢板的特征在于,

所述闭合磁畴区域的深度h(μm)、宽度w(μm)、所述间隔s(mm)以及所述实测板厚t(mm)分别满足以下关系:

h≥168t+29.0(0.26≥t)

h≥1890t-418.7(t>0.26)

(w×h)/(s×1000)≤-12.3t+6.9(t>0.22)

(w×h)/(s×1000)≤-56.1t+16.5(t≤0.22)。

2.一种晶粒取向电磁钢板的制造方法,其特征在于,

用于制造权利要求1所述的实测板厚为t(mm)的晶粒取向电磁钢板,使用以满足下式的关系的加速电压Va(kV)照射的电子束,形成在相对于钢板面内的轧制方向成60°~120°的方向上以轧制方向的间隔为s(mm)的方式周期性地形成且线状地扩展的闭合磁畴区域,

所述闭合磁畴区域的深度h(μm)、宽度w(μm)、所述间隔s(mm)以及所述实测板厚t(mm)满足以下关系:

(w×h)/(s×1000)≤-12.3t+6.9(t>0.22)

(w×h)/(s×1000)≤-56.1t+16.5(t≤0.22),

其中,

Va≥580t+270-6.7P(0.26≥t)

Va≥6980t-1390-6.7P(t>0.26)

P>45

这里,P为每单位扫描长度的照射能量/射束直径(J/m/mm)。

3.根据权利要求2所述的晶粒取向电磁钢板的制造方法,其特征在于,

所述电子束的射束直径为400μm以下。

4.根据权利要求2或3所述的晶粒取向电磁钢板的制造方法,其特征在于,

作为所述电子束的照射源,使用LaB6阴极。

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