[发明专利]用于含铜导体的保护罩

权利要求书

1.一种制造包括含铜导体的太阳能电池的方法，所述含铜导体上覆盖有位于半导体衬底上的保护罩，所述方法包括如下步骤：

在气相沉积装置的沉积室中提供半导体衬底，所述半导体衬底包括在其第一侧的钝化层，所述钝化层被图形化，以限定含铜导体所存在的接触区域；

向沉积室供应气态硅种，使得在含铜导体的表面上形成铜硅化物的表面层并在钝化层的顶部上形成非晶硅；以及

在所述表面层上提供绝缘硅化合物保护层，其中所述保护罩包括所述表面层和所述保护层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述气态硅化合物为硅烷化合物。

3.根据前述权利要求中任意一项所述的方法，其特征在于，所述保护罩在100-300℃、优选150-250℃温度下形成。

4.根据前述权利要求中任意一项所述的方法，其特征在于，所述供应气态硅种进一步导致在铜硅化物的顶部上形成过量的硅层，此后，所述过量的硅层至少部分转化成保护层。

5.根据前述权利要求中任意一项所述的方法，其特征在于，所述保护层为氧化硅层，该氧化硅层在将所述衬底从沉积室中移出之后形成。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述非晶硅至少部分转化成氧化硅。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括还原含铜导体的氧化物表面以获得暴露表面的步骤。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在供应气态硅化合物之前或同时，通过向沉积室供应氢，例如，以分子氢、原子氢源或原子氢的形式，还原所述氧化物表面。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，以等离子体增强或等离子体辅助沉积工艺进行暴露和沉积。

10.根据前述权利要求中任意一项所述的方法，其特征在于，所述保护罩的厚度小于20 nm，优选小于10 nm，更优选达到5nm。

11.根据前述权利要求中任意一项所述的方法，其特征在于，提供具有含铜导体的衬底包括如下步骤：

-在半导体衬底的表面上提供界面层，所述界面层在接触区域暴露；以及

-在所述界面层沉积所述含铜导体。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述界面层包含能利用下置的硅衬底形成金属硅化物的金属，并且，所述界面层的提供和所述铜硅化物的形成至少在很大程度上防止了利用硅衬底形成金属硅化物。

13.根据前述权利要求10或11所述的方法，其特征在于，所述界面层构成电镀基底并且所述含铜导体在电化学工艺中沉积。

14.  根据前述权利要求中任意一项所述的方法，其特征在于，所述衬底设有钝化层，所述钝化层大致围绕所述界面层延伸，并且在提供保护罩的同时，含硅层沉积在所述钝化层上。

15.根据前述权利要求中任意一项所述的方法，其特征在于，所述衬底设有图形化的介电层，所述介电层限定至少一个腔，所述至少一个腔使得所述界面层暴露，并且所述含铜导体沉积在所述腔中，使得所述介电层限定所述导体的暴露表面，在所述暴露表面上施加所述保持罩。

16.  一种包括半导体衬底的太阳能电池，所述半导体衬底在其第一侧设有钝化层，所述钝化层被图形化以限定设有含铜导体的区域，所述导体被保护罩覆盖，所述保护罩包括铜硅化物表面层和绝缘硅化合物保护层。

17.根据权利要求16所述的太阳能电池，其特征在于，所述保护罩的厚度小于20nm，优选至多10nm。

18.根据权利要求16或17所述的太阳能电池，其特征在于，所述保护罩在所述导体的顶面和侧面上延伸，从而形成封装。

19.根据权利要求16-18中任意一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述保护罩被图形化，以使得所述导体的预限定区域暴露，以便例如，适合焊接或粘合。

20.能够用权利要求1-15中任何一项所述的方法制得的根据权利要求16-19中任意一项所述的太阳能电池。