[发明专利]非晶合金薄带在审

专利信息
申请号: 201380014114.5 申请日: 2013-03-07
公开(公告)号: CN104245993A 公开(公告)日: 2014-12-24
发明(设计)人: 茂木贵幸;东大地;板垣肇;备前嘉雄 申请(专利权)人: 日立金属株式会社
主分类号: C22C45/02 分类号: C22C45/02;B22D11/00;B22D11/06
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 合金
【说明书】:

技术领域

发明涉及非晶合金薄带。

背景技术

非晶合金薄带由于其优异的特性,在很多用途中有望被视作工业材料。

其中,以Fe(铁)为主成分的Fe系非晶合金薄带(例如,以Fe(铁)为主成分且还含有B(硼)和Si(硅)的Fe-B-Si系非晶合金薄带)由于铁损低、饱和磁通密度高等的理由,被用作了变压器的磁芯等的材料。所述Fe系非晶合金薄带的占空系数一般低于取向性电磁钢板,因而寻求高的占空系数。如果占空系数低,则制作相同的内外径的磁芯时,总磁通、电感均降低,这样不得不增大磁芯、增加线圈数,因而在机器的小型化方面、成本方面成问题。

为了使Fe系非晶合金薄带的占空系数提高,至今进行了各种研究。

例如,作为用于通过单辊法制造显示高占空系数的Fe系非晶合金薄带的制造方法,已知有调整熔液喷嘴前端与冷却辊表面的距离、冷却辊的温度、冷却辊的圆周速度、冷却辊周围的气氛、熔液喷嘴产生的喷出压力、冷却辊的表面状态等制造条件的方法(例如,参照日本特开2006-281317号公报、日本特开平9-216036号公报和日本特开2007-217757号公报)。

发明内容

发明要解决的问题

然而,对于如上述现有技术地通过制造条件的调整而使薄带的占空系数提高的方法来说,连续地制造非晶合金薄带时,存在难以长时间维持制造条件(例如冷却辊的表面状态等)的情况。另外,对于通过制造条件的调整而使薄带的占空系数提高的方法来说,存在磁通密度等磁特性降低的情况。

因此,作为使Fe-B-Si系非晶合金薄带的占空系数提高的方法,除了上述的制造条件的调整以外,考虑了调整Fe-B-Si系非晶合金薄带的自身组成的方法。

根据本发明人的研究,弄清了通过在Fe-B-Si系非晶合金薄带的组成中加入C(碳)而使薄带的占空系数提高。进一步研究的结果表明,相对于组成中Si量比较多的Fe-B-Si系非晶合金薄带过多地加入C时,薄带有变脆的倾向。

另外,对于非晶合金薄带来说维持高的磁通密度也是重要的。

因此,本发明的课题在于提供占空系数优异、脆度(脆性)受到抑制、高的磁通密度得到维持的非晶合金薄带。

用于解决问题的方案

用于解决前述课题的具体的手段如下所述。

<1>一种非晶合金薄带,其含有Fe、Si、B、C和无法避免的杂质,以Fe、Si和B的合计量为100.0原子%时,Si量为8.5原子%~9.5原子%、B量为10.0原子%以上且小于12.0原子%;相对于前述合计量100.0原子%,C量为0.2原子%~0.6原子%;厚度为10μm~40μm、宽度为100mm~300mm。

<2>根据<1>记载的非晶合金薄带,其中,前述C量为0.3原子%~0.6原子%。

<3>根据<1>或<2>记载的非晶合金薄带,其中,前述B量为10.0原子%~11.5原子%。

<4>根据<1>~<3>中任一项记载的非晶合金薄带,其中,占空系数为88%以上。

<5>根据<1>~<4>中任一项记载的非晶合金薄带,其中,以Fe、Si和B的合计量为100.0原子%时,Fe量为79.0原子%~80.0原子%、Si量为8.5原子%~9.5原子%、B量为10.5原子%~11.5原子%。

<6>根据<1>~<5>中任一项记载的非晶合金薄带,其是通过单辊法制造的。

发明的效果

采用本发明可以提供占空系数优异、脆度(脆性)受到抑制、高的磁通密度得到维持的非晶合金薄带。

附图说明

图1是概括性显示适合于制造本发明的非晶合金薄带的非晶合金薄带制造装置的一种实施方式的示意截面图。

图2是示意性显示脆度评价中使用的样品的示意图。

图3是示意性显示脆度评价的撕裂后的样品片和撕裂线的示意图。

具体实施方式

本说明书中,使用“~”表示的数值范围是指以“~”前后记载的数值分别为最小值及最大值所涵盖的范围。

以下,对于本发明的非晶合金薄带进行详细说明。

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