[实用新型]一种多网口受电端设备及其受电装置有效
申请号: | 201320854540.7 | 申请日: | 2013-12-23 |
公开(公告)号: | CN203632689U | 公开(公告)日: | 2014-06-04 |
发明(设计)人: | 邓志吉;张兴明;傅利泉 | 申请(专利权)人: | 浙江大华技术股份有限公司 |
主分类号: | H04L12/10 | 分类号: | H04L12/10 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 310053 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多网口受电端 设备 及其 装置 | ||
1.一种多网口受电端设备的受电装置,其特征在于,包括:
N个网口,与所述N个网口一一对应的N个开关控制电路,与所述N个开关控制电路一一对应的N个开关电路和一个受电端设备芯片,N为不小于2的整数;
每个网口将接收到的电信号输出;
任一开关控制电路接收到供电检测的电信号后,向对应的开关电路输出导通指示的电信号;
任一开关控制电路接收到用于供电的电信号后,向对应的开关电路输出断开指示的电信号;
任一开关电路从开关控制电路接收到导通指示的电信号、且没有从其他开关电路接收到指示正在检测的电信号,导通对应的网口到受电端设备芯片之间的通路,并向其他开关电路输出指示正在检测的电信号;
任一开关电路从其他开关电路接收到指示正在检测的电信号或从开关控制电路接收到断开指示的电信号,断开对应的网口到受电端设备芯片之间的通路。
2.根据权利要求1所述的受电装置,其特征在于,还包括与所述N个网口一一对应的整流桥,每个整流桥将对应的网口提供的电信号整流后输出;
每个开关控制电路从对应的整流桥接收电信号。
3.根据权利要求1所述的受电装置,其特征在于:
还包括与所述N个网口一一对应的N个供电电路,每个网口通过对应的供电电路向负载输出电信号;或者,
还包括一个供电电路,每个网口均通过所述供电电路向负载输出电信号。
4.根据权利要求3所述的受电装置,其特征在于,所述供电电路为二极管,所述二极管的正极与网口的正相输出端连接,所述二极管的负极向负载输出电信号。
5.根据权利要求3或4所述的受电装置,其特征在于,还包括一个直流变直流芯片,所述直流变直流芯片从每个供电电路接收电信号输出给负载。
6.根据权利要求1所述的受电装置,其特征在于,每个开关控制电路包括一个稳压二极管、一个电阻和一个P沟道金属氧化物半导体场效应管;
所述稳压二极管的正极与网口的负相输出端连接,所述稳压二极管的负极与所述P沟道金属氧化物半导体场效应管的G极和所述电阻的一端连接;
所述电阻的另一端与网口的正相输出端和所述P沟道金属氧化物半导体场效应管的S极连接;
所述P沟道金属氧化物半导体场效应管的S极和D极分别与所述开关电路连接;当所述P沟道金属氧化物半导体场效应管的S极与D极导通,向所述开关电路输出的是导通指示的电信号;当所述P沟道金属氧化物半导体场效应管的S极和D极切断,向所述开关电路输出的是断开指示的电信号。
7.根据权利要求1所述的受电装置,其特征在于,每个开关电路包括一个P沟道金属氧化物半导体场效应管、一个电阻、一个二极管和一个电容;
所述P沟道金属氧化物半导体场效应管的G极和S极分别与开关控制电路连接;
所述P沟道金属氧化物半导体场效应管的G极还与所述电阻的一端、所述电容的一端和所述二极管的负极连接;
所述电阻的另一端与所述电容的另一端连接;
每个开关电路的P沟道金属氧化物半导体场效应管的D极连接,且与所述受电端设备芯片连接;
每个开关电路的P沟道金属氧化物半导体场效应管的D极还与其他开关电路的电容的正极连接。
8.根据权利要求1所述的受电装置,其特征在于,每个开关电路为继电器。
9.一种多网口受电端设备,其特征在于,包括权利要求1~8任一项所述的受电装置。
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