[实用新型]LPCVD自动补水系统有效
申请号: | 201320645950.0 | 申请日: | 2013-10-18 |
公开(公告)号: | CN203546142U | 公开(公告)日: | 2014-04-16 |
发明(设计)人: | 向舟翊;李家海;李朝阳 | 申请(专利权)人: | 四川飞阳科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/40 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王学强;魏晓波 |
地址: | 610209 四川省成都市双*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | lpcvd 自动 水系 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种补水系统,具体的说是涉及一种湿氧SIO2工艺炉管上使用的LPCVD自动补水系统。
背景技术
湿氧SIO2工艺主要是通过使用LPCVD制作SIO2薄膜,其中在工艺炉管上连接的补水装置是必不可少的,补水装置会源源不断的提供加工过程中所需要的水分,目前做湿氧SIO2工艺所需要的水汽需要通过工作人员定期像补水系统中加入高纯水,但是有时候由于各种外因或人为因素,导致没有及时加水的情况发生,而加水不及时将会影响SIO2成膜的速率降低以及膜的物理性质变差,大大降低了SIO2膜的生产效率与成品率,进而提高了生产成本,加重了企业的负担,不利于企业的发展。
发明内容
有鉴于此,本实用新型提供一种LPCVD自动补水系统,能够更好的控制补水的时间与补水量,避免发生补水不及时导致的SIO2成膜速率降低以及物理性质变差,提高了SIO2膜的生产效率与成品率,降低了生产成本,促进了企业的健康发展。
为解决以上技术问题,本实用新型的技术方案是:
LPCVD自动补水系统,包括湿氧SIO2工艺炉管,所述湿氧SIO2工艺炉管上连接有补水系统;所述补水系统包括储水罐,该储水罐通过水蒸气输出管与湿氧SIO2工艺炉管相连接,在储水罐上端还设置有高纯氮气输入管,储水罐上还设置有进水口,在进水口上安装有补水装置,储水罐下方设置有加热器,加热器上还设置有重力控制装置,重力控制装置与补水装置相连接。
进一步的,上述补水装置包括进水管,在进水管的端部固定在进水口上,在进水管上设置有两个球阀,在两个球阀之间还设置有隔膜阀,在隔膜阀上设置有空气管道,空气管道上还设置有一个球阀,空气管道上的球阀与隔膜阀之间还安装有电磁阀,补水装置通过该电磁阀与重力控制装置相连。
作为优选,所述空气管道中有高压空气,进水管中有高纯水。
再进一步的,上述重力控制装置包括设置在加热器下方的重力计,重力计上连接有重力控制器,该重力控制器还同时连接在电磁阀上。
作为优选,所述水蒸气输出管的下端管口设置在储水罐内部,且靠近储水罐上端面。
作为优选,所述高纯氮气输入管连接在高纯氮气源上,该高纯氮气输入管下端设置在储水罐内部,且靠近储水罐底面。
与现有技术相比,本实用新型有以下有益效果:
本实用新型设置有重力控制装置,能够通过储水罐中水量的多少来自行判断是否需要添加高纯水,以及调整添加高纯水的速度,利用重力控制装置来代替人工加水,能够很好的掌握加水的时间,从而大大提高了SIO2膜的生产效率与成品率,同时进一步降低了生产成本,同时还促进了企业的健康发展;本实用新型设置有补水装置,能够通过球阀来调整各个管路中液体或气体的固定流量,从而避免了在添加高纯水的过程中进水管不会因过大的冲击力而从进水口脱离,也保证了重力控制装置的精准性;本实用新型结构简单,使用方便,生产跟加工的成本较低,能够很好的进行大规模的生产与使用。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
图上附图标记为:1—球阀;2—进水管;3—隔膜阀;4—重力控制器;5—进水口;6—重力计;7—加热器;8—储水罐;9—水蒸气输出管;10—高纯氮气输入管;11—电磁阀;12—空气管道。
具体实施方式
本实用新型的核心思路是,提供一种LPCVD自动补水系统,能够更好的控制补水的时间与补水量,避免发生补水不及时导致的SIO2成膜速率降低以及物理性质变差,提高了SIO2膜的生产效率与成品率,降低了生产成本,促进了企业的健康发展。
为了使本领域的技术人员更好地理解本实用新型的技术方案,下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步的详细说明。
实施例
如图1所示,LPCVD自动补水系统,包括湿氧SIO2工艺炉管,所述湿氧SIO2工艺炉管上连接有补水系统;所述补水系统包括储水罐8,该储水罐8通过水蒸气输出管9与湿氧SIO2工艺炉管相连接,在储水罐8上端还设置有高纯氮气输入管10,储水罐8上还设置有进水口5,在进水口5上安装有补水装置,储水罐8下方设置有加热器7,加热器7上还设置有重力控制装置,重力控制装置与补水装置相连接。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的