[实用新型]汽车一键启动装置的保护电路有效

专利信息
申请号: 201320231305.4 申请日: 2013-04-29
公开(公告)号: CN203251087U 公开(公告)日: 2013-10-23
发明(设计)人: 朱勇 申请(专利权)人: 重庆微立科技有限公司
主分类号: H02H9/04 分类号: H02H9/04;H02H11/00
代理公司: 云南派特律师事务所 53110 代理人: 龚笋根
地址: 401122 重庆市北部新区*** 国省代码: 重庆;85
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摘要:
搜索关键词: 汽车 启动 装置 保护 电路
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及电学领域,特别是指一种汽车一键启动装置的保护电路。

背景技术

现有一键启动设备必须包含低频发射电路,用于检测智能钥匙是否在车辆附近。低频发射电路一般包含有一个互补MOS驱动电路和低频天线模块,互补MOS驱动电路包含1到2个MOS管。同时一键启动设备还至少需要对车辆的4组电源进行分配,分别为ACC,IG1,IG2,ST。一般情况下,ACC给附件电器设备供电,IG1给动力电气供电,IG2给舒适设备供电,ST给启动电机供电。这意味着一键启动设备至少需要设计4个继电器,来实现大电流的分配。电路图如图1所示,其中F1:速熔保险丝;D1:防反二极管;T1:TVS管;D2-D5:续流二极管;Q1-Q4:继电器控制电路;J1~J4:电源分配继电器。

该电路使用D2,D3,D4,D5作为电源分配继电器的释放续流二极管,由于J1,J2,J3会同时释放,所以D2~D4不能完全将电压释放到12V,由于累加效应,在没有T1的情况下,在VCC网络处的电压经常在25V以上。T1虽然可以吸收部分电压,但是考虑到T1如果频繁动作将导致可靠性降低,T1的钳位电压的选择,一般只会将T1的钳位电压控制在25V左右,也就是说在互补MOS驱动电路上的电压,经常有25V的尖峰脉冲。而互补MOS驱动电路经常选用的器件,最高工作电压一般不超过20V,如MICROCHIP公司的TC4425,MICREL公司的MIC4123等,这将导致驱动MOS管的可靠性降低,发生偶发性失效。

从上分析可以看出,普通TVS管的保护电压值,已经在所选互补MOS管的上限,在异常情况下很容易照成低频发射天线驱动的损坏。

实用新型内容

本实用新型提出一种汽车一键启动装置的保护电路,其能实现对尖峰脉冲的吸收和稳压。

本实用新型的技术方案是这样实现的:一种汽车一键启动装置的保护电路,包括与12V电源连接的自恢复保险丝,所述自恢复保险丝连接有防反二极管,所述防反二极管连接有互补MOS驱动电路和低频天线,在互补MOS驱动电路与防反二极管连接的一端连接有4个继电器,所述的4个继电器分别为附件电器设备供电、动力电气供电、舒适设备供电、启动电机供电的电源分配继电器,所述防反二极管的正极与电源地间依次串联有限流电阻和稳压二极管,所述防反二极管的负极与互补MOS驱动电路间连接有大功率三极管,所述大功率三极管的基极与稳压二极管的负极连接,所述大功率三极管的集电极与防反二极管的负极连接,在所述大功率三极管的集电极与电源地间连接有压敏电阻。

通过本技术方案,将4个电源分配继电器所在的网络接入防反二极管负端和大功率三极管的集电极之间,将继电器释放产生的脉冲与互补MOS驱动电路隔离开。隔离后的脉冲,由压敏电阻和稳压二极管释放掉,由此形成了三级保护电路,保证网络引入的电压值不超过互补MOS管的电压上限,避免在异常情况下照成低频发射天线驱动的损坏。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中汽车一键启动装置的保护电路的电路结构图;

图2为本实用新型汽车一键启动装置的保护电路的电路结构图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。

一种汽车一键启动装置的保护电路,如图2所示,包括与12V电源连接的自恢复保险丝F1,所述自恢复保险丝F1连接有防反二极管D1,所述防反二极管D1连接有互补MOS驱动电路和低频天线,在互补MOS驱动电路与防反二极管D1连接的一端连接有4个继电器J1~J4,所述的4个继电器分别为附件电器设备供电、动力电气供电、舒适设备供电、启动电机供电的电源分配继电器,所述防反二极管D1的正极与电源地间依次串联有限流电阻R1和稳压二极管VD1,所述防反二极管D1的负极与互补MOS驱动电路间连接有大功率三极管Q0,所述大功率三极管Q0的基极与稳压二极管VD1的负极连接,所述大功率三极管Q0的集电极与防反二极管D1的负极连接,在所述大功率三极管Q0的集电极与电源地间连接有压敏电阻RV1。

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