[实用新型]用于U盘接口处静电防护电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种静电防护电路，更具体的说是涉及一种用于U盘接口处静电防护电路。

背景技术

现在的信息时代，U盘的作用越来越大，给人们的生活带来很多的便捷。由于U盘的内部电路为集成电路，静电对其有很大的破坏作用，导致U盘内部的电子元器件或者主板芯片的损坏，从而使U盘内部存储的数据无法找到或者丢失，给人带来一定的经济损失。

实用新型内容

本实用新型提供一种用于U盘接口处静电防护电路，其可消除静电对U盘内部电路的影响，有效的保护U盘的内存储的数据。

为解决上述的技术问题，本实用新型采用以下技术方案：

用于U盘接口处静电防护电路，它包括电阻R，所述的电阻R连接在二极管D1的正极上，所述的二极管D1的负极连接在电源线VDD上，所述的二极管D1的正极同时连接在二极管D2的负极上，所述的二极管D2的正极连接在二极管D3的正极上，所述的二极管D2和二极管D3的正极同时接地，所述的二极管D3的负极也连接在电源线VDD上。

更进一步的技术方案是:

所述的电阻R的另一端连接在U盘的IO端口上，内部电路连接在二极管D1的正极上。

所述的二极管D1和二极管D2的参数一致。

所述的二极管D1的工作电流的范围为5毫安-20毫安。

所述的二极管D3为ESD5B5.0ST1G。

在本实用新型的电阻的一端接在U盘的IO端口上，内部电路连接在二极管D1的正极，即二极管D2的负极上，整个电路用于对静电进行释放。电阻起到分压的作用。采用二极管作为泄放通路的主要电子元件，相比于场效应管和三极管，其连接结构简单。

本静电防护电路提供4条静电泄放通路，即从电源线VDD到IO端口，IO端口到电源线VDD，地线到IO端口，IO端口到地线。

电源线VDD接地，IO端口加正静电电压，静电电流从二极管D1直接流走。如果电源线VDD接地，IO端口加负静电电压，则静电电流依次流过二极管D2,二极管D3和二极管D1。

   如果地线接地时 ，IO端口加正静电电压，静电电流依次流过二极管D1，二极管D3，二极管D2。如果IO端口加负静电电压，则静电电流通过二极管D2流走。

其能有效的将静电泄放掉，保护U盘的内部电路。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

1、本实用新型具有静电防护的作用，消除静电对U盘内部电路的影响，有效的保护U盘内部的存储数据。

2、本实用新型的包括二极管和电阻，其电路结构简单。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细说明。

图1为本实用新型的电路原理图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步的说明。本实用新型的实施方式包括但不限于下列实施例。

[实施例]

如图1所示的用于U盘接口处静电防护电路，它包括电阻R，所述的电阻R连接在二极管D1的正极上，所述的二极管D1的负极连接在电源线VDD上，所述的二极管D1的正极同时连接在二极管D2的负极上，所述的二极管D2的正极连接在二极管D3的正极上，所述的二极管D2和二极管D3的正极同时接地，所述的二极管D3的负极也连接在电源线VDD上。

所述的电阻R的另一端连接在U盘的IO端口上，内部电路连接在二极管D1的正极上。

所述的二极管D1和二极管D2的参数一致。

所述的二极管D1的工作电流的范围为5毫安-20毫安。

所述的二极管D3为ESD5B5.0ST1G。

如上所述即为本实用新型的实施例。本实用新型不局限于上述实施方式，任何人应该得知在本实用新型的启示下做出的结构变化，凡是与本实用新型具有相同或相近的技术方案，均落入本实用新型的保护范围之内。