[实用新型]一种高纯镓分离装置有效
申请号: | 201320176527.0 | 申请日: | 2013-04-10 |
公开(公告)号: | CN203178122U | 公开(公告)日: | 2013-09-04 |
发明(设计)人: | 赵科湘;金智宏 | 申请(专利权)人: | 株洲科能光电材料科技发展有限责任公司 |
主分类号: | G01N1/28 | 分类号: | G01N1/28 |
代理公司: | 株洲市奇美专利商标事务所 43105 | 代理人: | 刘国鼎 |
地址: | 412000 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高纯 分离 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种分离装置,尤其涉及一种高纯镓分离装置。
背景技术
高纯镓是制造半导体砷化镓、磷化镓、锗半导体掺杂元素;纯镓及其低熔合金可作核反应的热交换介质,高温温度计的填充料,有机反应中作二酯化的催化剂。近年来,随着OLED,即有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode),又称为有机电激光显示(Organic Electroluminesence Display, OELD)的迅猛发展,进一步促进了高纯镓的需求。
高纯镓的检测目前主要采用等离子体光谱仪(ICP-OES)、等离子体质谱仪(ICP-MS)、辉光放电质谱仪(GD-MS)等仪器检测,由于ICP-OES的灵敏度不高,对高纯镓特别是6N(6个9)以上镓已经无能为力;GD-MS由于价格昂贵且装备少分析成本高,不适于生产控制需求;而ICP-MS由于具有高灵敏度且分析成本适中满足了大部分生产、贸易、用户的需求,越来越受到重视,但是ICP-MS不能耐高基体样品,必须采取某种手段去除基体而只留下杂质元素在ICP-MS上测定。
本实用新型是设计一种装置来分离高纯镓基体而留下杂质元素,具有分离和富集作用。
发明内容
本实用新型的目的是提供一种高纯镓分离装置,通过该装置,利用基体镓与杂质不同氯化物的沸点不同,保持一定温度,基体镓以三氯化镓除去,而杂质留下来,经酸溶后用ICP-MS测定。
为实现上述目的,本实用新型的技术解决方案是:一种高纯镓分离装置,包括可控硅电炉、氯化氢发生烧瓶、氯化分离装置、控制器和热电偶,其特征在于:所述氯化分离装置8内,设有坩埚9,该坩埚通过连接管5、洗瓶6与氯化氢发生器2连通,氯化分离装置8还与水抽11连通,可控硅电炉1、12和热电偶10均通过导线与控制器13连接。
所述氯化分离装置8是由高纯石英制作的夹层式装置。
本实用新型的有益效果是:分离速度快,基体去除干净,杂质保留完全,再现性好,操作简单等。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图
其中:1—可控硅电炉;2—氯化氢发生烧瓶;3—滴液漏斗;4—上烧瓶;5—连接管;6—洗气瓶;7—氯化分离器盖;8—氯化分离装置;9—小坩埚;10—热电偶;11—水抽;12—可控硅电炉;13—控制器。
具体实施方式
下面结合附图详细描述本发明的具体实施方式。
参见图1,本实用新型的包括可控硅电炉、氯化氢发生烧瓶、氯化分离装置、控制器和热电偶,其特征在于:所述氯化分离装置8内,设有坩埚9,该坩埚通过连接管5、洗瓶6与氯化氢发生器2连通,氯化分离装置8还与水抽11连通,可控硅电炉1、12和热电偶10均通过导线与控制器13连接。
所述氯化分离装置8是由高纯石英制作的夹层式装置。
本实用新型的具体分离过程为:
第一步,将高纯浓盐酸倒入氯化氢发生器2中;将高纯催化发生剂倒入氯化氢发生器的上烧瓶4内;将高沸点保温剂导入氯化氢发生器的环状保温层内;在洗气瓶内导入高纯浓盐酸;
第二步,调节可控硅电炉1温度为50-60℃,调整氯化氢发生器2的调液旋钮,使催化发生剂以三秒一滴的速度滴入氯化氢发生器烧瓶内,产生氯化氢气体;调节可控硅电炉12温度为180-240℃;
第三步,把空白小坩埚9放入氯化分离装置内;打开水抽;检查管道和器皿气密性;30分钟后取出空白坩埚;
第四步,把装有高纯镓的小坩埚(试样坩埚)放入氯化分离装置内;打开水抽;检查管道和器皿气密性;待高纯镓挥发完毕后取出坩埚;
第五步,向空白坩埚和试样坩埚内加酸溶解后进行ICP-MS测定其中的杂质。
本装置与物料接触的部件由高纯度石英组成,以保证分离过程中物料不受污染。
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