[实用新型]一种基于保护集成电路的串联稳压电路有效
申请号: | 201320140050.0 | 申请日: | 2013-03-25 |
公开(公告)号: | CN203339954U | 公开(公告)日: | 2013-12-11 |
发明(设计)人: | 严睿;徐剑;李昆仑 | 申请(专利权)人: | 浙江德力西电器有限公司 |
主分类号: | H02M3/155 | 分类号: | H02M3/155;H02M1/14 |
代理公司: | 温州瓯越专利代理有限公司 33211 | 代理人: | 傅敏华 |
地址: | 325401 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 保护 集成电路 串联 稳压 电路 | ||
1.一种基于保护集成电路的串联稳压电路,包括有电源输入端的限流电阻R1、电压调整三极管Q2、偏置电阻R45、稳压二极管D1和电源输出端滤波电容C1,其特征在于:还包括有设置在电源输入端的三极管分压电路和设置在电源输出端的高低频滤波及尖峰毛刺滤除电路,其中三极管分压电路由偏置电阻R23、分压三极管Q1组成,高低频滤波及尖峰毛刺滤除电路由滤波电容C1、滤波电容C2和二极管D2组成。
2.根据权利要求1所述的一种基于保护集成电路的串联稳压电路,其特征在于:分压三极管Q1和调整三极管Q2串联在电源线路中,电源电压经限流电阻R1进入到分压三极管Q1的集电极,偏置电阻R23一端接电源正极,另一端接分压三极管Q1的基极,分压三极管Q1的发射极和调整三极管Q2的集电极相连,偏置电阻R45一端接分压三极管Q1的基极,另一端接调整三极管Q2的基极,调整三极管Q2的发射极接电源输出端,稳压二极管D1并接在调整三极管Q1的基极和电源GND间,滤波电容C1、滤波电容C2和二极管D2组成的高低频滤波及尖峰毛刺滤除电路则并接在电源的输出端和电源GND间。
3.根据权利要求1或2所述的一种基于保护集成电路的串联稳压电路,其特征在于:所述的限流电阻R1是固定电阻或可变电阻。
4.根据权利要求1或2所述的一种基于保护集成电路的串联稳压电路,其特征在于:所述偏置电阻R23由电阻R2和R3组成,偏置电阻R45由电阻R4和R5组成,电阻R2、R3、R4、R5是固定电阻或可变电阻。
5.根据权利要求1或2所述的一种基于保护集成电路的串联稳压电路,其特征在于:所述的分压三极管Q1和调整三极管Q2为NPN三极管,所述的二极管D1为稳压二极管,所述的二极管D2为TVS瞬态电压抑制二极管,所述滤波电容C1是有极性钽电容,所述滤波电容C2是无极性独石电容。
6.根据权利要求3所述的一种基于保护集成电路的串联稳压电路,其特征在于:所述的分压三极管Q1和调整三极管Q2为NPN三极管,所述的二极管D1为稳压二极管,所述的二极管D2为TVS瞬态电压抑制二极管,所述滤波电容C1是有极性钽电容,所述滤波电容C2是无极性独石电容。
7.根据权利要求4所述的一种基于保护集成电路的串联稳压电路,其特征在于:所述的分压三极管Q1和调整三极管Q2为NPN三极管,所述的二极管D1为稳压二极管,所述的二极管D2为TVS瞬态电压抑制二极管,所述滤波电容C1是有极性钽电容,所述滤波电容C2是无极性独石电容。
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