[实用新型]一种差分射频放大器

权利要求书

1.一种差分射频放大器，其特征在于，由第一N沟道的金属氧化物半导体管（M1）、第二N沟道的金属氧化物半导体管（M2）、第三N沟道的金属氧化物半导体管（M3）、第四N沟道的金属氧化物半导体管（M4），第一隔直电容（C1）、第二隔直电容（C2）、第一二极管（D1）、第二二极管（D2）、输出变压器（L1）、偏置电阻（R1）和负载电阻（R2）组成，上述元部件的连接关系如下：

第一N沟道的金属氧化物半导体管（M1）和第二N沟道的金属氧化物半导体管（M2）的栅极为差分输入端，第一N沟道的金属氧化物半导体管（M1）和第二N沟道的金属氧化物半导体管（M2）的源极连在一起并接地；第三N沟道的金属氧化物半导体管（M3）和第四N沟道的金属氧化物半导体管（M4）为叠管，它们的源级与第一N沟道的金属氧化物半导体管（M1）和第二N沟道的金属氧化物半导体管（M2）的漏级分别连接，组成差分共源共栅结构；第三N沟道的金属氧化物半导体管（M3）和第四N沟道的金属氧化物半导体管（M4）的栅极连接在一起，并和偏置电阻（R1）相连，该偏置电阻（R1）的另一端接偏置电压；所述的输出变压器（L1）的原边与所述的第三N沟道的金属氧化物半导体管（M3）和第四N沟道的金属氧化物半导体管（M4）的漏级相连，所述的输出变压器（L1）的副边接所述的负载电阻（R2），所述的第一隔直电容（C1）和第一二极管（D1）的正极相联，第一隔直电容（C1）的另一端和第三N沟道的金属氧化物半导体管（M3）的漏极相连，第一二极管（D1）的负极和第三N沟道的金属氧化物半导体管（M3）的栅极相连接；所述的第二隔直电容（C2）和第二二极管（D2）正极相联，第二隔直电容（C2）的另一端和第四N沟道的金属氧化物半导体管（M4）的漏极相连，第二二极管（D2）的负极和第四N沟道的金属氧化物半导体管（M4）的栅极相连接，所述的第一隔直电容（C1）、第二隔直电容（C2）、第一二极管（D1）和第二二极管（D2）共同组成电荷泵电路。

2.根据权利要求1所述的差分射频放大器，其特征在于，所述的第一二极管（D1）和第二二极管（D2）分别由第五N沟道的金属氧化物半导体管（M5）、第六N沟道的金属氧化物半导体管（M6）替换，所述的第五N沟道的金属氧化物半导体管（M5）的栅极和漏极接在一起并和第一隔直电容（C1）相连接，第一隔直电容（C1）的另一端和第三N沟道的金属氧化物半导体管（M3）的漏极相连；所述的第六N沟道的金属氧化物半导体管（M6）的栅极和漏极接在一起并和第二隔直电容（C2）相连接，第二隔直电容（C2）的另一端和第四N沟道的金属氧化物半导体管（M4）的漏极相连，第五N沟道的金属氧化物半导体管（M5）的源极、第六N沟道的金属氧化物半导体管（M6）的源极、所述的第三N沟道的金属氧化物半导体管（M3）的栅极和第四N沟道的金属氧化物半导体管（M4）的栅极连成节点，所述的第一隔直电容（C1）、第二隔直电容（C2）、第五N沟道的金属氧化物半导体管（M5）和第六N沟道的金属氧化物半导体管（M6）共同组成电荷泵电路。