[发明专利]具有相位控制负载调制的多赫蒂放大器电路有效
申请号: | 201310631282.0 | 申请日: | 2013-10-31 |
公开(公告)号: | CN103795350A | 公开(公告)日: | 2014-05-14 |
发明(设计)人: | S·格尔;R·威尔逊 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H03F1/07 | 分类号: | H03F1/07 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 蒋骏;马永利 |
地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 相位 控制 负载 调制 多赫蒂 放大器 电路 | ||
1.一种多赫蒂放大器电路,包括:
对称多赫蒂放大器,包括主放大器和与所述主放大器相同尺寸的峰值放大器,所述对称多赫蒂放大器被配置为当所述主放大器和所述峰值放大器都处于饱和时,以峰值输出功率进行操作,以及当所述主放大器处于饱和而所述峰值放大器未处于饱和时,以输出回退(OBO)进行操作;以及
相移电路系统,其被配置为在OBO下偏移所述峰值放大器的输出处的相位,使得由所述主放大器所经历的负载阻抗和所述对称多赫蒂放大器的效率均在OBO下作为所述峰值放大器输出处的相移的函数而增加。
2.根据权利要求1的多赫蒂放大器电路,其中所述相移电路系统包括耦接到所述主放大器的输入的第一相移器和耦接到所述峰值放大器的输出的第二相移器,以及其中所述第一和第二相移器被配置为给予相同的相移。
3.根据权利要求2的多赫蒂放大器电路,进一步包括多赫蒂组合器,其被配置为将所述主放大器和峰值放大器耦接到负载,其中所述相移电路系统进一步包括第三相移器,其被集成在所述多赫蒂组合器中,以及其中所述第一相移器和所述第三相移器提供大约等于由所述第二相移器所提供的相移的组合相移。
4.根据权利要求1的多赫蒂放大器电路,其中所述相移电路系统被配置为在OBO下将所述峰值放大器的输出处的相位偏移10到60度。
5.根据权利要求1的多赫蒂放大器电路,其中所述相移电路系统被配置为在OBO下将所述峰值放大器的输出处的相位在一定的度数范围内偏移,其足以将OBO下的对称多赫蒂放大器的最大效率操作点移动到至少6dB OBO和12dB OBO之间的任何操作点。
6.根据权利要求1的多赫蒂放大器电路,其中所述相移电路系统被配置为通过延长连接到所述峰值放大器输出的定相线并延长连接到所述主放大器的输入的定相线,来在OBO下偏移所述峰值放大器的输出处的相位。
7.根据权利要求6的多赫蒂放大器电路,其中所述相移电路系统被配置为在OBO下将定相线延长10到60度。
8.一种操作多赫蒂放大器电路的方法,所述多赫蒂放大器电路包括主放大器和与所述主放大器相同尺寸的峰值放大器,所述方法包括:
当所述主放大器和所述峰值放大器都处于饱和时,将所述对称多赫蒂放大器以峰值输出功率进行操作,以及当所述主放大器处于饱和而所述峰值放大器未处于饱和时,以输出回退(OBO)进行操作;以及
在OBO下偏移所述峰值放大器的输出处的相位,使得由所述主放大器所经历的负载阻抗和所述对称多赫蒂放大器的效率均在OBO下作为所述峰值放大器输出处的相移的函数而增加。
9.根据权利要求8的方法,其中在OBO下偏移所述峰值放大器的输出处的相位包括在所述峰值放大器的输出处和所述主放大器的输入处给予相同的相移。
10.根据权利要求9的方法,进一步包括向多赫蒂组合器的定相线给予相同的相移,所述多赫蒂组合器将所述主放大器和峰值放大器耦接到负载。
11.根据权利要求8的方法,其中在OBO下所述峰值放大器的输出处的相位被偏移10到60度。
12.根据权利要求8的方法,其中在OBO下可将所述峰值放大器的输出处的相位在一定的度数范围内偏移,其足以将OBO下的所述对称多赫蒂放大器的最大效率操作点移动到至少6dB OBO和12dB OBO之间的任何操作点。
13.根据权利要求8的方法,其中在OBO下偏移所述峰值放大器的输出处的相位包括:
延长连接到所述峰值放大器的输出的定相线;以及
延长连接到所述主放大器的输入的定相线。
14.根据权利要求13的方法,其中在OBO下将所述定相线延长10到60度。
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