[发明专利]阵列基板及液晶显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板及液晶显示装置。

背景技术

随着制造技术的发展，薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称“TFT-LCD”）因其具有功耗低、制造成本低以及无辐射等优点，已经取代传统的显像管显示器而成为显示器的主流。TFT-LCD的显示面板由阵列基板和彩膜基板对盒形成，在阵列基板和彩膜基板之间填充有液晶分子。其中，阵列基板包括横纵交叉的栅线和数据线，由栅线和数据线限定的像素单元，以及形成在像素单元上的取向膜。每个像素单元包括薄膜晶体管（thin film transistor，简称“TFT”）、像素电极和公共电极。TFT作为开关器件，控制像素电极和公共电极之间产生驱动电场，从而控制液晶分子的扭转，实现画面显示。其中，取向膜的具体形成过程为：在形成像素单元后，沉积PI（聚酰亚胺）材料形成取向膜，并对取向膜进行取向摩擦，形成液晶分子的取向方向。

结合图1所示，定义栅线10＇为横向分布，则数据线20＇为纵向分布，栅线10＇和数据线20＇限定像素单元1＇，像素单元1＇包括像素电极2＇，像素电极2＇具有狭缝3＇。发明人通过TechWiz软件对液晶分子的取向方向（用图1中的实线L＇表示）与纵向的夹角0°≤β≤8°进行了模拟，并获取相应的响应时间，由模拟结果可知，当β=7°时，显示装置的响应时间变大，相比于β=0°时响应时间增加20%；当β=8°时，相比于β=0°时响应时间增加30%，而且显示装置的对比度相比于β=0°时下降了50%。因此，液晶分子的取向方向与纵向的最佳夹角β=0°，即取向膜的摩擦方向与栅线10＇垂直。但是，当取向膜的摩擦方向与栅线10＇垂直时，取向膜摩擦取向时所遇到的阻力会很大，不仅影响取向膜的使用寿命，而且还会影响摩擦的均匀性，进而导致显示的灰度不良。

发明内容

本发明提供一种像素结构及液晶显示装置，用以解决取向膜的摩擦方向垂直于栅线时，出现的取向膜摩擦不良问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种阵列基板，包括栅线、数据线、由所述栅线和数据线限定的像素单元，以及形成在所述像素单元上方的取向膜，其中，所述栅线沿横向延伸，所述取向膜的摩擦方向与纵向呈第一非零角度β。

同时，本发明还提供液晶显示装置，所述液晶显示装置采用如上所述的阵列基板。

本发明的上述技术方案的有益效果如下：

上述技术方案中，通过设置取向膜的摩擦方向不垂直于栅线方向，减小取向膜摩擦取向时所遇到的阻力，降低了摩擦不良的产生率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1表示现有技术中阵列基板的结构示意图；

图2表示现有技术中多畴液晶工作模式的显示装置中栅线方向、第二电极的狭缝延伸方向以及取向膜的摩擦方向三者的位置关系示意图；

图3表示本发明实施例中阵列基板的结构示意图；

图4表示本发明实施例中像素单元的结构示意图；

图5表示本发明实施例中第二电极的狭缝延伸方向和取向膜的摩擦方向的关系示意图；

图6表示本发明实施例中取向膜的摩擦方向偏离垂直于栅线的角度β与显示装置的响应时间的关系示意图。

具体实施方式

下面将结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。

实施例一

结合图3和图4所示，本发明实施例中提供一种阵列基板，其包括衬底100，形成在衬底100上的栅线10和数据线20，以及由栅线10和数据线20限定的像素单元1。其中，像素单元1包括TFT（图中未示出）、公共电极4和像素电极2。TFT作为开关器件，其栅电极与栅线10连接，源电极与数据线20连接，漏电极与像素电极2连接，用于控制产生驱动液晶分子偏转的电场。在像素单元1上方还形成有取向膜101，取向膜101的摩擦方向决定液晶分子的取向。