[发明专利]太阳能电池无效
申请号: | 201310367428.5 | 申请日: | 2013-08-21 |
公开(公告)号: | CN104218103A | 公开(公告)日: | 2014-12-17 |
发明(设计)人: | 庄尚余;林士达;王业明 | 申请(专利权)人: | 新日光能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/048 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 王玉双;常大军 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 | ||
技术领域
本发明涉及一种太阳能电池,特别涉及一种降低电致发光的太阳能电池。
背景技术
在太阳能电池的生产过程中,最终产品需经过检验方能确保其品质。需检测的缺陷项目,包括材料瑕疵、烧结、工艺污染、微裂、线路的断路等。利用电测的方式,即可将有这些缺陷的产品剔除。但微裂与线路断路这两项缺陷,虽然对转换效率影响不大,但却对产品的稳定性与使用寿命有极大的影响,故此部分需用外观检测的方式,将这些缺陷检测出来。
其中外观检测的方式又以电致发光技术(Electroluminescence,EL)最普遍。EL是将太阳能电池加上一正向电流后,太阳能电池会如发光二极管般,发出近红外的光,其光强度除与输入电流的大小有关外,亦和其缺陷有关。当有缺陷时,电流经过的线路就不会发出光,于是就可得知有缺陷的存在。
请参考图1A,现有技术的太阳能电池示意图。其为采用了三条总线电极120(Bus Bar Electrode)、多条指状电极(Finger Electrode)110配置于太阳能电池基板100上。此太阳能电池由于工艺的关系,而使得太阳能电池正面电极结构局部区域1产生了断线。
接着,请参考图1B,现有技术的太阳能电池结构局部区域1放大示意图。当加上一正向电流于太阳能电池后,太阳能电池会原本应所述在其电流经过的地方发出近红外的光。但由于局部区域1产生了断线处111,由于路径过长,将使得电流无法充分流到断线处111的地方,于是指状电极115将不会发生红外光,用红外线相机拍照到局部区域1时,指状电极115的部分将会呈现暗色。
此一EL检测,为目前太阳能电池的重要品质检测标准,一般所述指状电极在EL检测时常会因电流路径过长而无法到达断线处111而使整条指状电极115呈现暗色,因此判断其集电效率下降,即所谓的EL缺陷问题,整片太阳能电池将会被视为不良品而加以销毁,但事实上所述指状电极115本身在太阳能电池发电时仍有集电能力。所以,如何降低太阳能电池于EL检测时所发现的断线问题,甚至进一步改善指状电极的集电能力,成为太阳能电池厂商技术开发的一个重要的技术问题。
发明内容
鉴于以上现有技术的问题,本发明的目的在于提供一种太阳能电池,来降低太阳能电池断线所产生的EL检测不良的问题,而达到在不降低发电效率的前提下而维持良好的太阳能电池品质的具体功效。
本发明提供一种太阳能电池,包含:一太阳能电池基板、多组总线电极网。一太阳能电池基板,具有第一表面与第二表面。多组总线电极网,所述这些总线电极网彼此隔离配置于太阳能电池基板的第一表面上,每个总线电极网包括:总线电极、多个指状电极、至少一个连接线电极以及至少一个垂直指状电极。一总线电极,设置于太阳能电池基板的第一表面。多个指状电极,间隔配置于总线电极的两侧。多个连接线电极,设置于太阳能电池基板的第一表面上,每条连接线电极连接至少两个指状电极的末端。多个垂直指状电极,设置于太阳能电池基板的第一表面上,每条所述垂直指状电极与所述总线电极平行且设置于所述指状电极两端之间,用以连接至少两个相邻的所述指状电极。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述,但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1A现有技术的太阳能电池结构示意图;
图1B为图1A现有技术的太阳能电池结构局部放大示意图;
图2A本发明的太阳能电池结构一实施例的示意图;
图2B为图2A的本发明的太阳能电池结构的局部放大示意图;
图2C为图2B的本发明的太阳能电池结构的断线示意图;
图3A本发明的太阳能电池结构又一实施例的示意图;
图3B为图3A的本发明的太阳能电池结构的局部放大示意图;
图4A本发明的太阳能电池结构再一实施例的示意图;
图4B为图4A的本发明的太阳能电池结构的局部放大示意图;
图5A本发明的太阳能电池结构另一实施例的示意图;
图5B为图5A的本发明的太阳能电池结构的局部放大示意图;
图6A本发明的太阳能电池结构另再一实施例的示意图;
图6B为图6A的本发明的太阳能电池结构的局部放大示意图;
图7本发明的太阳能电池结构的另一实施例的局部放大示意图;
图8本发明的太阳能电池结构的另一实施例的局部放大示意图。
其中,附图标记
1 局部区域
2 局部区域
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的