[发明专利]氧化铝多孔陶瓷的低温烧成方法

权利要求书

1.一种氧化铝多孔陶瓷的低温烧成方法，其特征在于，所述低温烧成方法使用钙–铜–钛三元素复合而成的烧成助剂，其中所述烧成助剂中的铜元素在整个烧成过程中以一价稳定存在。

2.根据权利要求1所述的低温烧成方法，其特征在于，所述低温烧成方法包括：

烧成助剂配制：以氧化钙和/或其前驱物、铜的氧化物和/或其前驱物、二氧化钛/和/或其前驱物为原料混合形成所述烧成助剂；

将所述烧成助剂与氧化铝粉体混合均匀，压制成型或挤出成型制得素坯；以及

所述素坯干燥后程序升温至1100～1600℃之间进行烧成，制得所述氧化铝多孔陶瓷。

3.根据权利要求1或2所述的低温烧成方法，其特征在于，所述烧成助剂中各组分所占摩尔百分比分别为：钙元素0.5～30%，铜元素0.5～50%，钛元素30～99%。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的低温烧成方法，其特征在于，所述烧成助剂的用量为氧化铝粉体用量的0.2～20wt%。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的低温烧成方法，其特征在于，所述氧化铝粉体的中位粒径为10～200 μm。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的低温烧成方法，其特征在于，所述程序升温包括：

以60～360℃/小时升温至1100～1600℃保温1～6 小时。