[发明专利]低损耗串联电容均压装置无效
申请号: | 201310271104.1 | 申请日: | 2013-07-01 |
公开(公告)号: | CN103337955A | 公开(公告)日: | 2013-10-02 |
发明(设计)人: | 杜强;沈煜;张晋茂 | 申请(专利权)人: | 浙江省能源与核技术应用研究院 |
主分类号: | H02M3/06 | 分类号: | H02M3/06 |
代理公司: | 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 | 代理人: | 韩小燕 |
地址: | 310012 *** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 损耗 串联 电容 装置 | ||
1.一种低损耗串联电容均压装置,其特征在于:它包括串联于直流母线正负极之间的电容器组C1和C2,以及分别与电容器组C1和C2并联的开关管Q1和Q2;所述开关管Q1为N沟道MOS管,其漏极接直流母线的正极,源极电连接有用于限制放电电流的电阻R1,该电阻R1另一端与电容器组C1和C2的串联中点电连接,栅极与源极之间电连接有电阻R2;所述开关管Q2为P沟道MOS管,其漏极接直流母线的负极,源极与开关管Q1的源极电连接,栅极与漏极之间电连接有电阻R3;所述开关管Q1的栅极与开关管Q2的栅极电连接,且电阻R2和R3的阻值相同。
2.根据权利要求1所述的低损耗串联电容均压装置,其特征在于:所述均压装置还包括一双向电压控制装置(1),其一端直接与开关管Q1和Q2的栅极电连接,另一端直接与开关管Q1和Q2的源极电连接,并且其阈值电压小于开关管Q1和Q2的栅极最高允许电压。
3.根据权利要求2所述的低损耗串联电容均压装置,其特征在于:所述双向电压控制装置(1)为双向TVS管。
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