[发明专利]一种OLED微型显示器的制备方法无效
申请号: | 201310162003.0 | 申请日: | 2013-05-06 |
公开(公告)号: | CN103258972A | 公开(公告)日: | 2013-08-21 |
发明(设计)人: | 杨丽丽;段瑜;杨炜平;朱亚安;季华夏 | 申请(专利权)人: | 云南北方奥雷德光电科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56 |
代理公司: | 昆明祥和知识产权代理有限公司 53114 | 代理人: | 和琳 |
地址: | 650223 云*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 微型 显示器 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及有机发光领域,尤其是一种取消光刻胶工序,简化OLED显示器制作过程,同时能保证器件性能,节约生产成本和时间,提高生产效率的OLED微型显示器的制备方法。
背景技术
OLED微型显示器制备过程中,先制备读出电路,再在读出电路上采用掩膜版的方式只在显示器的发光区域上顺序蒸镀金属电极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层和密封薄膜层。读出电路上有诸多的PAD接口,待器件制备完成以后,通过焊线引出接口,焊线引出是器件制备的最后一道工艺,为了保证PAD在诸多的工艺中不受到影响,于是需要在进行工艺制备之前就需要将PAD接口保护起来,原来保护PAD接口的方法是在制备好金属电极之后,通过光刻涂胶显影的方式用光刻胶遮挡住PAD接口,待器件制备完成之后,再通过激光束打在PAD区域后,被PAD表面的光刻胶所吸收,光刻胶吸收能量后形成急剧膨胀的等离子体而产生冲击波,冲击波将光刻胶烧蚀成粉末,随之带动光刻胶上的其他镀膜层材料一起被烧蚀,从而达到清洗PAD的效果,如发明专利“有机发光显示器接口清洗工艺”,专利号:ZL 200810233757X。但是在保护PAD的光刻涂胶显影工艺中就会带来一些问题,一是金属电极薄膜会在涂胶显影的过程中不耐碱性显影液腐蚀,二则是在显影过程中,会发生诸多化学反应,难以精确控制,显影不充分会导致光刻胶残留,显影过度则会导致金属电极腐蚀严重,使得显示器发光亮度降低,同时还会引入金属氧化物颗粒,这些残留的颗粒会引入氧气和水汽,逐渐氧化有机发光层,最终引起器件失效,于是取消PAD接口的光刻胶保护工艺显得非常必要。
发明内容
本发明所要解决的是原有技术中通过光刻胶对PAD接口进行保护,容易腐蚀金属电极薄膜,影响显示器发光亮度,甚至引起器件失效的问题,提供了一种取消光刻胶工序,简化OLED显示器制作过程,同时能保证器件性能的OLED微型显示器的制备方法。
本发明的一种OLED微型显示器的制备方法,OLED微型显示器包括硅片、形成在硅片上的显示器发光区域以及制备在硅片上的PAD接口,及在显示器发光区域上蒸镀的金属电极层,其特征在于该制备方法先用有机薄膜在PAD接口上形成一层底膜,再采用掩膜版的方式在PAD接口及显示器发光区域上蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层和密封薄膜层等蒸镀层,蒸镀层在PAD接口上形成保护膜层,之后再采用特定波长的激光轰击PAD接口,去除PAD接口上的底膜以及蒸镀层,暴露出干净的PAD接口,具体步骤如下:
(1)在制备好PAD接口的硅片上采用掩膜版的方式只在显示器发光区域上蒸镀金属电极,金属电极的厚度为0.5-100nm,同样采用掩膜版的方式在PAD接口上蒸镀一层有机薄膜作为底膜;
(2)采用掩膜版的方式在PAD接口处和显示器的发光区域上顺序蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层和密封薄膜层等蒸镀层;
(3)采用激光轰击覆盖在PAD接口上的底膜和保护膜层,暴露出PAD接口,之后对PAD接口进行焊接封装,完成一个OLED微型显示器的制备工作。
所述的蒸镀层包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层和密封薄膜层,其中空穴注入层材料为CuPc、MoO3、1-TNATA、2-TNATA中的任意一种,厚度为5-30nm;空穴传输层材料为NPB、Spiro-TAD、TDAB中的任意一种,厚度为5-30nm;发光层材料为Alq3、DPVBi、PVK中的任意一种,厚度为10-50 nm;电子传输层为Bphen、BCP、PBD中的任意一种,厚度为5-30 nm;电子注入层材料为LiF、Li2O、Li:Alq3中的任意一种,厚度为1-10 nm;阴极层材料为Al、Mg:Ag中的任意一种,厚度为1-10nm;密封薄膜层材料为Al2O3、SiN、SiO2中的任意一种,厚度为50- 3000nm。
所述的保护膜层厚度为50nm-3200nm。
所述的激光为248nm的KrF激光。
所述的底膜为有机材料,采用空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层或电子注入层中的任意一种有机材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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H01L51-54 .. 材料选择