[发明专利]快速响应的低压差稳压系统和低压差稳压系统的操作方法

权利要求书

1.一种快速响应的低压差稳压系统，其特征在于，包含：

一低压差稳压单元，用以根据一参考电压，产生并输出一内部输出电压；

一追踪电压产生单元，用以根据该参考电压，产生一追踪电压；及

一自驱动单元，耦接于该低压差稳压单元和该追踪电压产生单元，其中当该追踪电压与该内部输出电压的压差大于一临界电压的常数倍时，该自驱动单元提供一补偿电流至该低压差稳压单元的输出端。

2.根据权利要求1所述的低压差稳压系统，其特征在于，其中该低压差稳压单元包含：

一第一运算放大器，具有一第一端，用以接收一第一电压，一第二端，耦接于一地端，一负输入端，用以接收该参考电压，一正输入端，及一输出端；

一第一P型金属氧化物半导体晶体管，具有一第一端，用以接收该第一电压，一第二端，耦接于该第一运算放大器的输出端，及一第三端，用以输出该内部输出电压；

一第一电阻，具有一第一端，耦接于该第一P型金属氧化物半导体晶体管的第三端，及一第二端，耦接于该第一运算放大器的正输入端；及

一第二电阻，具有一第一端，耦接于该第一电阻的第二端，及一第二端，耦接于该地端。

3.根据权利要求2所述的低压差稳压系统，其特征在于，其中该自驱动单元包含：

一第一N型金属氧化物半导体晶体管，具有一第一端，用以接收该第一电压，一第二端，用以接收该追踪电压，及一第三端，耦接于该第一P型金属氧化物半导体晶体管的第三端。

4.根据权利要求3所述的低压差稳压系统，其特征在于，其中该第一N型金属氧化物半导体晶体管还包含：

一本体端，用以接收一本体控制信号。

5.根据权利要求4所述的低压差稳压系统，其特征在于，其中当该低压差稳压系统处于一活跃模式时，该本体控制信号介于该内部输出电压与一零电压之间；当该低压差稳压系统处于一待命模式时，该本体控制信号等于该零电压。

6.根据权利要求3所述的低压差稳压系统，其特征在于，其中该追踪电压产生单元包含：

一第二运算放大器，具有一第一端，用以接收一第二电压，一第二端，耦接于该地端，一负输入端，用以接收该参考电压，一正输入端，及一输出端；

一第二P型金属氧化物半导体晶体管，具有一第一端，用以接收该第二电压，一第二端，耦接于该第二运算放大器的输出端，及一第三端，耦接于该第一N型金属氧化物半导体晶体管的第二端，用以输出该追踪电压；

一第二N型金属氧化物半导体晶体管，具有一第一端，耦接于该第二P型金属氧化物半导体晶体管的第三端，一第二端，耦接于该第二N型金属氧化物半导体晶体管的第一端，及一第三端；

一第三电阻，具有一第一端，耦接于该第二N型金属氧化物半导体晶体管的第三端，及一第二端，耦接于该第二运算放大器的正输入端；及

一第四电阻，具有一第一端，耦接于该第三电阻的第二端，及一第二端，耦接于该地端。

7.根据权利要求6所述的低压差稳压系统，其特征在于，其中该第一N型金属氧化物半导体晶体管与该第二N型金属氧化物半导体晶体管为相同工艺结构的N型金属氧化物半导体晶体管。

8.根据权利要求6所述的低压差稳压系统，其特征在于，其中该追踪电压产生单元另包含：

一稳压电容，具有一第一端，耦接于该第二P型金属氧化物半导体晶体管的第三端，及一第二端，耦接于该地端，其中该稳压电容用以稳定该追踪电压。

9.根据权利要求6所述的低压差稳压系统，其特征在于，其中该临界电压为该第二N型金属氧化物半导体晶体管的临界电压。

10.根据权利要求2所述的低压差稳压系统，其特征在于，其中该自驱动单元包含：

一第一NPN型双载子晶体管，具有一第一端，用以接收该第一电压，一第二端，用以接收该追踪电压，及一第三端，耦接于该第一P型金属氧化物半导体晶体管的第三端。