[发明专利]一种四分之一波长相移光栅的制作方法有效
| 申请号： | 201310010352.0 | 申请日： | 2013-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN103091752A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 阳红涛;刘应军;胡忞远;熊永华 | 申请（专利权）人： | 武汉电信器件有限公司 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 黄挺 |
| 地址： | 430074 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 四分之一 波长 相移 光栅 制作方法 | ||
1.一种四分之一波长相移光栅的制作方法，其特征在于，步骤为：
（1）一次匀胶：在外延片表面进行匀胶，涂敷紫外正性反转光刻胶，烘干，在光刻机上选择专用光刻版进行曝光后显影；
（2）二次匀胶：步骤（1）所得产品进行二次匀胶，涂敷紫外正性光刻胶，烘干，在全息光栅系统中进行曝光，然后在110~130℃条件下烘烤1~5分钟，在光刻机上选择专用光刻版进行曝光后显影；
（3）用HBr 、Br2和H2O组成的腐蚀液进行腐蚀，去除光刻胶后得到四分之一波长相移光栅。
2.根据权利要求1所述的四分之一波长相移光栅的制作方法，其特征在于，步骤（1）所述紫外正性反转光刻胶厚度为500~1000埃。
3.根据权利要求1所述的四分之一波长相移光栅的制作方法，其特征在于，所述紫外正性反转光刻胶为AZ52系列光刻胶。
4.根据权利要求3所述的四分之一波长相移光栅的制作方法，其特征在于，所述紫外正性反转光刻胶为AZ5200NJ。
5.根据权利要求1所述的四分之一波长相移光栅的制作方法，其特征在于，所述专用光刻版是透光区域与非透光区域条状间隔排列，透光区域与非透光区域的宽度为DFB激光器芯片的腔长。
6.根据权利要求1所述的四分之一波长相移光栅的制作方法，其特征在于，步骤（2）所述紫外正性光刻胶的厚度为500~2000埃。
7.根据权利要求6所述的四分之一波长相移光栅的制作方法，其特征在于，步骤（2）所述紫外正性光刻胶为苏州瑞红RZJ304。
8.权利要求1~7任一所述的方法制备得到的四分之一波长相移光栅。
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