[实用新型]滤波范围540~760nm的无掺杂层光子晶体光学滤波器有效
| 申请号： | 201220228548.8 | 申请日： | 2012-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN202735537U | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 李萍;熊国欣;梁高峰;张晓丽;蔺利峰;雷茂生;宋孟丹;罗恩斯 | 申请（专利权）人： | 河南科技大学 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/13 |
| 代理公司： | 洛阳公信知识产权事务所(普通合伙) 41120 | 代理人： | 罗民健 |
| 地址： | 471000 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 滤波 范围 540 760 nm 掺杂 光子 晶体 光学 滤波器 | ||
【权利要求书】：
1.滤波范围540~760nm的无掺杂层光子晶体光学滤波器，其特征在于：滤波器包括光子晶体层（1）和镜头玻璃（2），光子晶体层（1）设置在镜头玻璃（2）表面，光子晶体层（1）由10层D介质层和10层E介质层相互交替叠加构成（DE）5（ED）5型复合结构，所述的D为硫化锌，E为氟化镁,其中（DE）5表示5层D介质和E介质交替叠加构成的复合介质层，其中D介质层的厚度为67.34nm，E介质层的厚度为114.674nm，该复合介质层设置在光子晶体层（1）的内侧，并与镜头玻璃连接；其中（ED）5表示5层E介质和D介质交替叠加构成的复合介质层，其中D介质层的厚度为67.34nm，E介质层的厚度为114.674nm，该复合介质层设置在光子晶体层（1）外侧。
2.如权利要求1所述的滤波范围540~760nm的无掺杂层光子晶体光学滤波器，其特征在于：所述的D介质层的折射率是 nD=2.35，E介质层的折射率为nE=1.38。
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