[发明专利]193nmP光大角度减反射薄膜元件的制备方法有效
| 申请号： | 201210488002.0 | 申请日： | 2012-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN102928894A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 金春水;靳京城;李春;邓文渊;常艳贺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | G02B1/11 | 分类号： | G02B1/11;C23C14/06;C23C14/22 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人： | 陶尊新 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 193 nmp 光大 角度 反射 薄膜 元件 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.193nm P光大角度减反射薄膜元件的制备方法，其特征是，该方法由以下步骤实现：
步骤一、以CaF2作为镀膜基底，采用真空热沉积方法在基底上沉积MgF2单层膜和LaF3单层膜，对MgF2薄膜层进行光学常数解析，获得MgF2薄膜层在193nm工作波段处的折射率为1.42，消光系数为0.00048；采用一阶非均匀性模型对LaF3薄膜层进行光学常数解析，获得LaF3薄膜层在193nm工作波段处的折射率为1.68，消光系数为0.0028，
步骤二、采用真空热沉积方法在CaF2基底上交替沉积多层MgF2薄膜层和多层LaF3薄膜层，对步骤一进行光学常数解析后的LaF3薄膜层进行厚度优化，使多层LaF3薄膜层的总厚度小于40nm；最外层的MgF2薄膜层厚度为2.5nm，最终实现对减反射薄膜元件的制备。
2.根据权利要求1所述的193nm P光大角度减反射薄膜元件的制备方法，其特征在于，步骤一所述的MgF2单层膜的厚度为300nm，LaF3单层膜的厚度为100nm。
3.根据权利要求1所述的193nm P光大角度减反射薄膜元件的制备方法，其特征在于，步骤一中选用CaF2作为镀膜基底时，采用真空热沉积方法对基底的加热温度为300oC，沉积速率为0.6nm/s。
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