[发明专利]磁存储装置、头驱动控制装置及头驱动控制方法有效

专利信息
申请号: 201210379728.0 申请日: 2012-09-28
公开(公告)号: CN103106904A 公开(公告)日: 2013-05-15
发明(设计)人: 城石芳博;福田宏;田河育也;冈田智弘 申请(专利权)人: 株式会社日立制作所
主分类号: G11B5/127 分类号: G11B5/127;G11B5/60;G11B5/02
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 杨宏军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 存储 装置 驱动 控制 方法
【权利要求书】:

1.一种磁存储装置,其特征在于,包括:

磁记录介质;

微波辅助记录磁头,其包括:产生用于写入所述磁记录介质的记录磁场的记录磁极、产生高频磁场的高频磁场振荡元件、及向所述高频磁场振荡元件通电的机构;

再现磁头,其从所述磁记录介质读取信息;以及

控制、处理所述记录磁头的记录动作和所述再现磁头的再现动作的机构,

在进行对所述磁记录介质的记录动作时,借助向所述高频磁场振荡元件通电的机构向所述高频磁场振荡元件通电,

在来自所述磁记录介质的信息再现时的至少规定期间及查找时的至少一方,停止向所述高频磁场振荡元件的通电。

2.一种磁存储装置,其特征在于,包括:

磁记录介质;

微波辅助记录磁头,其包括:产生用于写入所述磁记录介质的记录磁场的记录磁极、产生高频磁场的高频磁场振荡元件、及向所述高频磁场振荡元件通电的机构;

再现磁头,该再现磁头从所述磁记录介质读取信息;以及

控制、处理所述记录磁头的记录动作和所述再现磁头的再现动作的机构,

在进行对所述磁记录介质的记录动作时,借助向所述高频磁场振荡元件通电的机构向所述高频磁场振荡元件通电,

在来自所述磁记录介质的信息再现之前,向与所述记录动作时相反的方向,向所述高频磁场振荡元件通电。

3.一种磁存储装置,其特征在于,包括:

磁记录介质;

微波辅助记录磁头,其包括:产生用于写入所述磁记录介质的记录磁场的记录磁极、产生高频磁场的高频磁场振荡元件、及向所述高频磁场振荡元件通电的机构;

再现磁头,其从所述磁记录介质读取信息;以及

控制、处理所述记录磁头的记录动作和所述再现磁头的再现动作的机构,

在进行对所述磁记录介质的记录动作时,借助向所述高频磁场振荡元件通电的机构向所述高频磁场振荡元件通电,

在紧接所述记录之后,向与所述记录动作时相反的方向,向所述高频磁场振荡元件通电。

4.一种磁存储装置,其特征在于,包括:

磁记录介质;

微波辅助记录磁头,该微波辅助记录磁头包括:产生用于写入所述磁记录介质的记录磁场的记录磁极、产生高频磁场的高频磁场振荡元件、及向所述高频磁场振荡元件通电的机构;

再现磁头,该再现磁头从所述磁记录介质读取信息;以及

控制、处理所述记录磁头的记录动作和所述再现磁头的再现动作的机构,

在记录动作时,比向所述记录磁极的通电提前规定期间,借助向所述高频磁场振荡元件通电的机构向所述高频磁场振荡元件通电。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的磁存储装置,其特征在于,

所述微波辅助记录磁头具有记录磁极和辅助磁极,且在记录磁极和辅助磁极之间的间隙部具有所述高频磁场振荡元件。

6.根据权利要求1至4中任意一项所述的磁存储装置,其特征在于,

向所述磁存储装置的记录再现特性被调整为最优化的所述高频磁场振荡元件通电的定时和向所述记录磁极通电的定时存储在所述磁存储装置的动作控制所用的寄存器中。

7.根据权利要求1至4中任意一项所述的磁存储装置,其特征在于,

所述磁存储装置还包括控制所述高频磁场振荡元件和所述磁记录介质的空隙的机构,并将使所述磁记录装置的记录再现特性调整为最优化的空隙的值存储在寄存器中。

8.根据权利要求6所述的磁存储装置,其特征在于,

在所述磁存储装置的环境发生了变化的情况下,再调整向所述高频振荡元件通电的定时。

9.根据权利要求7所述的磁存储装置,其特征在于,

所述记录再现特性为再现输出或错误率。

10.根据权利要求8所述的磁存储装置,其特征在于,

所述环境的变化为温度变化。

11.根据权利要求8所述的磁存储装置,其特征在于,

所述环境的变化为气压变化。

12.根据权利要求1至4中任意一项所述的磁存储装置,其特征在于,

所述磁记录介质为图形介质。

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