[发明专利]脉宽调制控制器在审
申请号: | 201210363859.X | 申请日: | 2012-09-26 |
公开(公告)号: | CN103166185A | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
发明(设计)人: | 张相贤;宋好得;蔡钟勋 | 申请(专利权)人: | 现代自动车株式会社;起亚自动车株式会社 |
主分类号: | H02H7/085 | 分类号: | H02H7/085 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 脉宽调制 控制器 | ||
1.一种脉宽调制(PWM)控制器,包括:
多个场效应晶体管(FET)和一FET驱动器;
比较器,其被配置成将流过所述FET的电流与过电流参考值进行比较;以及
微型计算机,其被配置成控制电动机和电路保护功能,并且当所述比较器所做比较的结果是流过所述FET的电流大于所述过电流参考值时选择性地关闭所述FET驱动器。
2.如权利要求1所述的PWM控制器,其中用于所述比较器的所述过电流参考值是基于所述多个FET中的哪个FET具有最大电容来设定的。
3.如权利要求1所述的PWM控制器,其中所述比较器被配置成当所述电动机的两个端子被短路时,确定流过所述FET的电流大于所述过电流参考值。
4.如权利要求1所述的PWM控制器,其中所述比较器被配置成当所述电动机的负端子和电池的偏置电压端子被短路时,确定流过所述FET的电流大于所述过电流参考值。
5.如权利要求1所述的PWM控制器,其中所述多个FET包括低端FET和高端FET。
6.如权利要求5所述的PWM控制器,其中用于所述比较器的所述过电流参考值是基于所述低端FET的电容来设定的。
7.如权利要求6所述的PWM控制器,其中所述比较器被配置成当所述电动机的两个端子被短路时,确定流过所述低端FET的电流大于所述过电流参考值。
8.如权利要求6所述的PWM控制器,其中所述比较器被配置成当所述电动机的负端子和电池的偏置电压端子被短路时,确定流过所述低端FET的电流大于所述过电流参考值。
9.一种脉宽调制(PWM)控制器,包括:
多个场效应晶体管(FET)和一FET驱动器;
比较器,其被配置成将流过所述FET的电流与过电流参考值进行比较;以及
微型计算机,其被配置成控制电动机和电路保护功能;以及
开关,其被配置成当所述比较器所做比较的结果是流过所述FET的电流大于所述过电流参考值时,切断所述微型计算机和所述FET驱动器之间的连接。
10.如权利要求9所述的PWM控制器,其中用于所述比较器的所述过电流参考值是基于所述多个FET中的哪个FET具有最大电容来设定的。
11.如权利要求9所述的PWM控制器,其中所述比较器被配置成当所述电动机的两个端子被短路时,确定流过所述FET的电流大于所述过电流参考值。
12.如权利要求9所述的PWM控制器,其中所述比较器被配置成当所述电动机的负端子和电池的偏置电压端子被短路时,确定流过所述FET的电流大于所述过电流参考值。
13.如权利要求9所述的PWM控制器,其中所述多个FET包括低端FET和高端FET。
14.如权利要求13所述的PWM控制器,其中用于所述比较器的所述过电流参考值是基于所述低端FET的电容来设定的。
15.如权利要求14所述的PWM控制器,其中所述比较器被配置成当所述电动机的两个端子被短路时,确定流过所述低端FET的电流大于所述过电流参考值。
16.如权利要求14所述的PWM控制器,其中所述比较器被配置成当所述电动机的负端子和电池的偏置电压端子被短路时,确定流过所述低端FET的电流大于所述过电流参考值。
17.一种包含由PWM控制器执行的程序指令的非短暂计算机可读介质,所述计算机可读介质包括:
将流过多个场效应晶体管(FET)的电流与过电流参考值进行比较的程序指令;
控制电动机和电路保护功能的程序指令;以及
当比较的结果是流过所述多个FET的电流大于所述过电流参考值时,选择性地关闭FET驱动器的程序指令。
18.如权利要求17所述的非短暂计算机可读介质,其中用于所述比较器的所述过电流参考值是基于所述多个FET中的哪个FET具有最大电容来设定的。
19.如权利要求17所述的非短暂计算机可读介质,还包括当所述电动机的两个端子被短路时,确定流过所述FET的电流大于所述过电流参考值的程序指令。
20.如权利要求17所述的非短暂计算机可读介质,还包括当所述电动机的负端子和电池的偏置电压端子被短路时,确定流过所述FET的电流大于所述过电流参考值的程序指令。
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