[发明专利]单根准一维二氧化锡-锡同轴纳米电缆氢敏传感器有效
| 申请号： | 201210363559.1 | 申请日： | 2012-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN102879527A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 王冰;郑照强;吴环宇 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | G01N33/00 | 分类号： | G01N33/00 |
| 代理公司： | 深圳市合道英联专利事务所(普通合伙) 44309 | 代理人： | 朱思全 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单根准一维二 氧化 同轴 纳米 电缆 传感器 | ||
【权利要求书】：
1.一种单根准一维二氧化锡-锡同轴纳米电缆氢敏传感器，包括基底及其上方的绝缘层、所述绝缘层上方搭载有若干电极，所述电极间通过单根同轴纳米电缆连接，其特征在于：所述单根同轴纳米电缆采用锡内芯，所述锡内芯外面包有一层二氧化锡外壳。
2.根据权利要求1所述的单根准一维二氧化锡-锡同轴纳米电缆氢敏传感器，其特征在于：所述单根同轴纳米电缆的锡内芯直径约为20nm，所述二氧化锡外壳厚度约为5nm。
3.根据权利要求1所述的单根准一维二氧化锡-锡同轴纳米电缆氢敏传感器，其特征在于：所述基底主要采用硅片制成，所述绝缘层材料主要为二氧化硅。
4.根据权利要求1所述的单根准一维二氧化锡-锡同轴纳米电缆氢敏传感器，其特征在于：所述电极为铂电极。
5.根据权利要求1所述的单根准一维二氧化锡-锡同轴纳米电缆氢敏传感器，其特征在于：所述单根同轴纳米电缆上设有一层铂补丁。
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