[发明专利]一种面积优化的混合信号伪三型补偿电路

权利要求书

1.一种面积优化的混合信号伪三型补偿电路，其特征在于：包括高通滤波器、低通滤波器和锯齿波产生电路，所述高通滤波器将反馈电压与基准电压的差值转换成误差电流，所述低通滤波器将误差电流转换成电压信号，为PWM比较器提供一个输入电压，所述锯齿波产生电路将电源成正比的电流与误差电流之和转化成锯齿波电压，为PWM比较器提供另一个输入电压。

2.根据权利要求1所述的一种面积优化的混合信号伪三型补偿电路，其特征在于：所述高通滤波器由偏置电路，零极点产生电路，电流转电压电路，跨导放大电路和误差电流镜像电路五部分组成；偏置电路由一个偏置源IB和一个NMOS管M21组成；零极点产生电路由六个PMOS管—分别是M1、M2、M5、M6、M7和M8，六个NMOS管—分别是M3、M4、M22、M23、M24和M25，两个电阻—分别是R1、R2，和两个电容—分别是C1和C2组成；电流转电压电路由两个PMOS管—分别是M11和M12，两个NMOS管—分别是M9和M10和两个电阻—分别是R3和R4组成；跨导放大电路由四个PMOS管—分别是M15、M16、M17和M18，和五个NMOS管—分别是M13、M14、M19、M20和M26组成；误差电流镜像电路由一个PMOS管Mep和一个NMOS管Men组成。

3.根据权利要求2所述的一种面积优化的混合信号伪三型补偿电路，其特征在于：所述偏置电路的连接关系为：偏置源IB跨接在电源VDD和NMOS管M21的漏上，NMOS管M21栅与漏短接，其源接地电位VSS；偏置电路为零极点电路、电流转电压电路和跨导放大电路提供电流偏置。

4.根据权利要求3所述的一种面积优化的混合信号伪三型补偿电路，其特征在于：所述零极点产生电路的连接关系为：PMOS管M1、M2的栅分别连接输入信号V_FB和V_REF，电阻R1与R2串联连接到PMOS管M1和M2的源两端，PMOS管M5和M6的漏分别连接到PMOS管M1和M2的源，PMOS管M5和M6的源均连接到电源VDD；电容C1跨接在PMOS管M1的源和PMOS管M5的栅上；电容C2跨接在PMOS管M2的源和PMOS管M6的栅上；PMOS管M7的漏与栅短接并与PMOS管M5的栅相连；PMOS管M8的漏与栅短接并与PMOS管M6的栅相连；PMOS管M7与M8的源连接到电源VDD；NMOS管M3与M4的栅分别连接到NMOS管M1与M2的漏，NMOS管M3与M4的漏分别连接到NMOS管M1与M2的源；NMOS管M3与M4的源均连接到地点位VSS；NMOS管M22、M23、M24、M25的栅连接到偏置电路中NMOS管M21的栅；NMOS管M22、M23、M24、M25的源均接地电位VSS；NMOS管M22、M23、M24、M25的漏分别连接到PMOS管M7、M1、M2和M8的漏，零极点产生电路的输出为流过NMOS管M3和M4的电流。

5.根据权利要求4所述的一种面积优化的混合信号伪三型补偿电路，其特征在于：所述电流转电压电路的连接关系为：NMOS管M9与M10的栅分别和PMOS管M1与M2的漏相连；PMOS管M11和M12的栅与漏短接，源都连接到电源VDD；电阻R3与R4分别跨接在PMOS管M11的漏与NMOS管M9的漏两端和PMOS管M12的漏与NMOS管M10的漏两端；NMOS管M9与M10的源均连接到地点位VSS；NMOS管M9和M10分别镜像流过NMOS管M3和M4的电流，并通过PMOS管M11、M12，电阻R3和R4转换为电压信号。

6.根据权利要求5所述的一种面积优化的混合信号伪三型补偿电路，其特征在于：所述跨导放大电路的连接关系为：NMOS管M13与M14的栅分别连接到NMOS管M9与M10的漏，NMOS管M13与M14的源短接并与NMOS管M25的漏相连；PMOS管M15栅与漏短接，并连接到NMOS管M13的漏；PMOS管M16栅与漏短接，并连接到NMOS管M14的漏；PMOS管M17的栅与PMOS管M15的栅相连，漏与NMOS管M19的漏和栅相连；PMOS管M18的栅与PMOS管M16的栅相连，漏与NMOS管M20的漏相连；NMOS管M20的栅与NMOS管M19的栅相连；PMOS管M15、M16、M17和M18的源均连接到电源VDD；NMOS管M19、M20、M26的源均接地电位VSS，其栅均连接到偏置源IB的负端；跨导放大电路为误差信号提供增益，其输出为电流误差信号。