[发明专利]一种OOK射频接收机有效
申请号: | 201210340017.2 | 申请日: | 2012-09-13 |
公开(公告)号: | CN102882821A | 公开(公告)日: | 2013-01-16 |
发明(设计)人: | 邹伟;赵博;杨华中 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H04L27/06 | 分类号: | H04L27/06 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 张大威 |
地址: | 100084 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 ook 射频 接收机 | ||
1.一种OOK射频接收机,其特征在于,包括:
天线;
与所述天线相连的低噪声放大器,其中,所述低噪声放大器采用电流复用结构;
与所述低噪声放大器相连的射频信号放大器,其中,所述射频信号放大器采用反相器结构;
与所述射频信号放大器相连的包络检波器,其中,所述包络检波器为峰值包络检波器;
与所述包络检波器相连的基带信号放大器;
与所述基带信号放大器相连的比较器,其中,所述比较器为动态比较器。
2.如权利要求1所述的OOK射频接收机,其特征在于,所述低噪声放大器进一步包括:
第一NMOS管和第一PMOS管,所述第一NMOS管的源极与所述第一PMOS管的源极相连,所述第一NMOS管的栅极与电源相连,所述第一PMOS管的栅极与第一PMOS管的漏极相连,其中,所述第一NMOS管和第一PMOS管之间具有第一节点;
第二NMOS管和第二PMOS管,所述第二NMOS管的源极与所述第二PMOS管的源极相连,所述第二NMOS管的漏极与所述第一PMOS管的漏极相连,所述第二PMOS管的栅极与地相连,所述第二NMOS管的栅极与第二NMOS管的漏极相连,其中,所述第二NMOS管和第二PMOS管之间具有第二节点;
第一电感,所述第一电感的一端与电源相连,所述第一电感的另一端与所述第一NMOS管的漏极相连,
第一电容,所述第一电容与所述第一电感并联;
第二电感,所述第二电感的一端与地相连,所述第二电感的另一端与所述第二PMOS管的漏极相连,
第二电容,所述第二电容与所述第二电感并联;
第一交流耦合电容和第二交流耦合电容,所述第一交流耦合电容的一端与所述天线相连,所述第一交流耦合电容的另一端与所述第一节点相连,所述第二交流耦合电容的一端与所述天线相连,所述第二交流耦合电容的另一端与所述第二节点相连;以及
第三交流耦合电容和第四交流耦合电容,所述第三交流耦合电容的一端与输出端相连,所述第三交流耦合电容的另一端与所述第一NMOS管的漏极相连,所述第四交流耦合电容的一端与输出端相连,所述第四交流耦合电容的另一端与所述第二PMOS管的漏极相连。
3.如权利要求1所述的OOK射频接收机,其特征在于,所述射频信号放大器为多级反相器级联结构。
4.如权利要求1所述的OOK射频接收机,其特征在于,所述包络检波器进一步包括:
第三NMOS管,所述第三NMOS管的漏极与电源相连,所述第三NMOS管的源极为所述包络检波器的输出端;
放电电阻,所述放电电阻的一端接地,所述放电电阻的另一端与所述第三NMOS管的源极相连;
滤波电容,所述滤波电容与所述放电电阻并联;
偏置电阻,所述偏置电阻的一端与偏置电压相连,所述偏置电阻的另一端与所述第三NMOS管的栅极相连;
耦合电容,所述耦合电容的一端与所述射频信号放大器相连,所述耦合电容的另一端与所述第三NMOS管的栅极相连。
5.如权利要求1所述的OOK射频接收机,其特征在于,所述比较器包括动态比较器子模块和输出缓冲器子模块。
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