[发明专利]一种铌镥酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅三元系弛豫铁电单晶及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201210324772.1 申请日: 2012-09-04
公开(公告)号: CN102817080A 公开(公告)日: 2012-12-12
发明(设计)人: 陈建伟;罗豪甦;李晓兵;赵祥永;徐海清;王升;王西安;林迪;任博;狄文宁 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: C30B29/32 分类号: C30B29/32;C30B11/00
代理公司: 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 代理人: 何葆芳
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 铌镥酸铅 铌镁酸铅 钛酸铅 三元 系弛豫铁电单晶 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种铌镥酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅三元系弛豫铁电单晶,其特征在于,具有如下化学通式:xPb(Lu1/2Nb1/2)O3-yPb(Mg1/3Nb2/3)O3-(1-x-y)PbTiO3;其中:0.1≤x≤0.4,0.2≤y≤0.6,但1-x-y≠0。

2.根据权利要求1所述的铌镥酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅三元系弛豫铁电单晶,其特征在于:所述x=0.1~0.3,所述y=0.4~0.6,且1-x-y=0.2~0.3。

3.一种制备权利要求1所述的铌镥酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅三元系弛豫铁电单晶的方法,其特征在于:为坩埚下降法,包括如下具体步骤:

a)按照通式xPb(Lu1/2Nb1/2)O3-yPb(Mg1/3Nb2/3)O3-(1-x-y)PbTiO3精确称取化学计量比的Lu2O3、MgO、Nb2O5、PbO和TiO2各原料,球磨使混合均匀;其中:0.1≤x≤0.4,0.2≤y≤0.6,但1-x-y≠0;

b)将上述混匀的物料在1000~1100℃下预烧结4~8小时后作为晶体生长的起始料;

c)将晶体生长的起始料装入坩埚中,加入籽晶,采用坩埚下降法进行晶体生长:控制晶体生长炉温为1400~1550℃,熔料保温时间为5~7小时,坩埚下降速率为0.1~2.0mm/h,坩埚下降方向的最大温度梯度为5~7℃/mm;

d)生长结束,随炉冷却到室温。

4.根据权利要求3所述的制备铌镥酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅三元系弛豫铁电单晶的方法,其特征在于:步骤a)中所述球磨为干法球磨或湿法球磨,球磨时间大于12小时。

5.根据权利要求3所述的制备铌镥酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅三元系弛豫铁电单晶的方法,其特征在于:步骤a)中所述原料Lu2O3、MgO、Nb2O5、PbO和TiO2的纯度均大于99.99%。

6.根据权利要求3所述的制备铌镥酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅三元系弛豫铁电单晶的方法,其特征在于:所述坩埚为铂金坩埚。

7.根据权利要求3所述的制备铌镥酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅三元系弛豫铁电单晶的方法,其特征在于:步骤c)中所述籽晶为PLMNT单晶或异质同构的铌镁酸铅-钛酸铅单晶。

8.根据权利要求7所述的制备铌镥酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅三元系弛豫铁电单晶的方法,其特征在于:所述籽晶为无体缺陷的异质同构的铌镁酸铅-钛酸铅单晶。

9.根据权利要求7所述的制备铌镥酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅三元系弛豫铁电单晶的方法,其特征在于:所述籽晶的取向为<111>、<110>或<100>。

10.根据权利要求7所述的制备铌镥酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅三元系弛豫铁电单晶的方法,其特征在于:步骤c)中的坩埚下降速率为0.1~0.8mm/h。

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