[发明专利]一种光伏接线装置无效
申请号: | 201210165735.0 | 申请日: | 2012-05-25 |
公开(公告)号: | CN102723391A | 公开(公告)日: | 2012-10-10 |
发明(设计)人: | 朱新华;孙来厚 | 申请(专利权)人: | 高密星合电子有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H05K7/20 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 261500 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 接线 装置 | ||
技术领域
本发明涉及接线盒,特别是指一种用于太阳能电池组件的光伏接线装置。
背景技术
太阳能电池是太阳能发电系统中的核心元件,为了满足实际应用的需要,需要把多个太阳能电池板通过光伏连接器组成太阳能电池方阵,以获得所需要的电压和电流。光伏接线装置作为其中的组件之一,同样受使用环境、使用安全、使用寿命等因素影响,因此要求具有高可靠性。
太阳能发电系统是不间断的、长期循环工作的高可靠性设施。对接线盒体上的旁路二极管散热、高温反偏,反向漏流等工作寿命有较高的要求。但目前国内封装的二极管几乎全部是传统的R-6塑封形式,这种封装的原件,因设计时只考虑了常规环境下的应用,而要让它符合光伏板的工作环境要求,就不能保证它应有的可靠性。现有技术中,接线盒的盒体在对应于旁路肖特基二极管的位置设有散热器,使旁路肖特基二极管的热量通过散热器最大限度的散热。但这样只能是在生产接线盒时开散热孔,并在二极管引线上连接散热装置。但是这样的设计只是芯片内部的热量散发局限于∮1.28引线导出,未从根本上解决问题,主要是因为接线盒在生产时不能轻易改变二极管的封装形式。
现有的肖特二极管的雪崩容量低于20mJ,最大击穿电压也只有45V到60V,它们能处理的ESD(Electro-Static discharge,静电释放)电压也较低,不能足以对ESD、雷击、和其他来源感应的高电压等浪涌提供保护。大多数由ESD引起的失效故障中,在接线盒里的两个或三个器件当中的 某一个会失效。而浪涌会损毁所有的旁路二极管。给整个发电系统带来隐患。
在日常的使用中,光伏接线装置受到以下几种问题的影响使使用寿命缩短:太阳紫外线对于塑料、橡胶等高分子材料的辐射影响;环境温度,特别是高低温交变对材料和产品影响很大;再者湿度如雨、雪、凝露等以及其他污染物如酸雨、臭氧等对接线盒材料的影响都是很大的。
综合上述几点问题,现有的光伏接线装置因环境、使用安全等,对使用寿命产生很大影响,使光伏接线装置的使用寿命缩短。
发明内容
本发明提出一种光伏接线装置,解决了现有技术中光伏接线装置易辐射影响、环境影响而缩短使用寿命的问题。
本发明的技术方案是这样实现的:
一种光伏接线装置,包括:
盒体;
与盒体配合使用的盒盖;
接线装置,设置在盒体内;
保护装置,用于防止反向电流损坏外部太阳能电池,设置在接线装置上;
保护装置包括:防损芯片;
正极板,用于与接线装置连接,设置于防损芯片一侧;
负极板,用于与接线装置连接,设置于防损芯片另一侧;
第一连接装置,用于与外部太阳能电池连接的,穿过盒体与接线装置连接;
第二连接装置,用于与外部用电端连接,穿过盒体与接线装置连接。
优选的,保护装置具体可为二极管。
优选的,接线装置包括:第一接线端和第二接线端;第一接线端与第一连接装置连接,第二接线端与第二连接装置连接。
优选的,第一连接装置具体为线缆;第二连接装置具体为镍带。
优选的,盒盖和盒体由改性聚苯醚材料制造而成。
优选的,还包括:密封垫圈,设置在盒盖与盒体之间的。
优选的,密封垫圈具体可为O形。
优选的,密封垫圈具体由硅橡胶制造而成。
本发明技术方案通过使用保护装置的特殊结构从而有效的对保护装置进行散热,且通过设置防损芯片,使得保护装置可以更有效的免受闪电、高电荷的表面能量,以及其他来源的感应的高功率瞬态和浪涌的损害;又因为盒体和盒盖的特殊材质,使得接线装置可以了长期处于恶劣的工作环境中,可以更好的耐雨、雪、凝露等以及其他污染物如酸雨、臭氧等,增强其使用寿命。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明一种光伏接线装置的结构示意图;
图2为本发明一种光伏接线装置中盒体的结构示意图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的