[发明专利]一种硅基光学限幅器

权利要求书

1.一种光学限幅器，其特征在于，包括非线性光学介质和硅薄膜，所述非线性光学介质具有正的非线性折射系数，所述硅薄膜上具有经过激光晶化处理的晶化区域；所述硅薄膜的吸收系数在所述晶化区域的横截面上的分布为沿所述晶化区域的边缘到所述晶化区域的中心的方向递增；入射激光束依次通过所述非线性光学介质和所述硅薄膜的所述晶化区域。

2.如权利要求1所述的光学限幅器，其中所述非线性光学介质是二硫化碳溶液。

3.如权利要求2所述的光学限幅器，其中所述二硫化碳溶液被封装在石英比色皿中。

4.如权利要求3所述的光学限幅器，其中所述入射激光束为高斯光束。

5.如权利要求4所述的光学限幅器，其中所述入射激光束的光强大于或等于自聚焦阈值光强，所述入射激光束通过所述非线性光学介质后被聚焦并投射在所述硅薄膜的所述晶化区域上，且经过所述聚焦的所述入射激光束在所述硅薄膜上的光斑的直径小于2倍的所述晶化区域的直径，所述光斑的中心的位置与所述晶化区域的所述中心的位置之间的偏差不大于10％。

6.如权利要求4所述的光学限幅器，其中所述入射激光束的光强小于自聚焦阈值光强，所述入射激光束通过所述非线性光学介质后被投射在所述硅薄膜上，且所述入射激光束在所述硅薄膜上的光斑的直径大于2倍的所述晶化区域的直径。

7.如权利要求5或6所述的光学限幅器，其中进行所述激光晶化处理所采用的激光束为高斯光束，且所述激光束的光斑的直径小于所述入射激光束在通过所述非线性光学介质之前的光斑的直径的二分之一。

8.如权利要求7所述的光学限幅器，其中所述硅薄膜是非晶硅薄膜或纳米硅薄膜。

9.如权利要求8所述的光学限幅器，其中所述硅薄膜的所述吸收系数在所述晶化区域的所述横截面上呈高斯分布。