[发明专利]一种适用于增量ΣΔADC的双采样调制器有效

专利信息
申请号: 201210160269.7 申请日: 2012-05-21
公开(公告)号: CN102694551A 公开(公告)日: 2012-09-26
发明(设计)人: 陈宏雷;伍冬;沈延钊;许军 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: H03M1/12 分类号: H03M1/12
代理公司: 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 代理人: 朱琨
地址: 100084 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 适用于 增量 adc 采样 调制器
【说明书】:

技术领域

发明属于高精度模数变换器领域,特别涉及一种适用于增量ΣΔADC的双采样调制器。

背景技术

增量(incremental)ΣΔ ADC是传统ΣΔ ADC的一个变种,主要用于实现对直流或低速信号进行高精度模数变换,应用领域为仪器、仪表、传感器读出电路等方面。与传统ΣΔ ADC类似,增量ΣΔ ADC也包含1阶,2阶或高阶等结构,另外,增量ΣΔ ADC还可以与算法型(algorithm)ADC结合,实现扩展计数型(Extended Counting)ADC。在电路结构上,增量ΣΔ ADC的调制器与传统ΣΔ ADC调制器的主要差别为复位操作,即增量ΣΔ ADC在对每一个采样点进行变换之前要对调制器进行复位清0。因此,存在周期性的复位操作是增量ΣΔ ADC的一个主要特征。传统ΣΔ ADC无周期性的复位操作。

增量ΣΔ ADC的基本电路模块为开关电容调制器。如图1所示为常用的全差分开关电容调制器的电路结构。第一开关S1接正相输入电压Vin+,第四开关S4接反相输入电压Vin-,第二开关S2接正相参考电压Vref+,第三开关S3接反相参考电压Vref-;第一采样电容Cs的一端接第一开关S1和第二开关S2的公共节点,另一端接第五开关S5和第六开关S6的公共节点;第二采样电容Cs’的一端第三开关S3和第四开关S4的公共节点,另一端接第七开关S7和第八开关S8的公共节点;第五开关S5和第七开关S7接地;第六开关S6接第九开关S9、第一积分电容Cf和第一运算放大器OTA的正输入端的公共节点,第八开关S8接第十开关S10、第二积分电容Cf’和第一运算放大器OTA的反输入端的公共节点;第一比较器LM1的正输入端接第九开关S9和第一积分电容Cf的公共节点,第一比较器LM1的反输入端接第十开关S10和第二积分电容Cf’的公共节点,第一比较器LM1的输出端接第一DQ触发器的输入端,第一采样时钟分别连接第一DQ触发器和第一比较器LM1;第九开关S9和第十开关S10为复位开关;第一采样时钟的时钟频率为Fc。

增量ΣΔ ADC在对1个数据进行模数转换时,开关电容调制器进行复位操作,第九开关S9和第十开关S10用于实现增量ΣΔ ADC中的复位操作。具体地说,第九开关S9和第十开关S10闭合,完成对第一积分电容Cf和第二积分电容Cf’的清零。

完成复位操作后,依次进行第1个时钟周期至第n个时钟周期的操作,第j个时钟周期分为两个相位时段,j取1至n;因而,需要依次进行第1相位时段至第2n相位时段的操作;

进行第j个时钟周期的操作是指如下过程:

第j个时钟周期包括第第2j-1相位时段和第2j相位时段,在第2j-1相位时段,第一开关S1、第四开关S4、第五开关S5和第七开关S7闭合,第二开关S2、第三开关S3、第六开关S6和第八开关S8断开,第九开关S9和第十开关S10断开;正相输入电压Vin+被第一采样电容Cs采集,反相输入电压Vin-被第二采样电容Cs’采集,第2j-1相位时段为采样相位时段;

在第2j相位时段,第二开关S2、第三开关S3、第六开关S6和第八开关S8闭合,第一开关S1、第四开关S4、第五开关S5和第七开关S7断开,第九开关S9和第十开关S10断开;第一采样电容Cs和第二采样电容Cs’的电荷被转移到第一积分电容Cf和第二积分电容Cf’上;与此同时,第一采样电容Cs和第二采样电容Cs’两者的左极板接反馈回的差分参考电压D[j-1]×Vref,因此转移到第一积分电容Cf和第二积分电容Cf’的实际电荷为Cs×(Vin-D[j-1]×Vref)。D[j-1]为第j-1个时钟周期后比较器的输出。上述操作为ΣΔ调制器的基本操作。第2j相位时段被称为积分相位时段。

上述积分器每个时钟周期只完成一次积分操作,其主要问题是功耗效率较低。在采样相位时段,运算放大器并没有发挥作用,但是仍在消耗功耗。

发明内容

本发明针对上述缺陷公开了一种适用于增量ΣΔ ADC的双采样调制器,该调制器在每一个时钟周期完成了两次积分操作,即在第2j-1相位时段和第2j相位时段分别各有一次。因此,同样的时钟频率下,电路的实际操作频率变为原来的两倍,而消耗的功耗不变。故功耗效率得到了提高。另外,本发明提出的结构不存在因电容失配造成的线性度恶化的问题,也没有增加芯片的面积。

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