[发明专利]基于PLZT的电光调Q开关

说明书

技术领域

本发明涉及激光器技术领域，特别涉及一种基于PLZT的电光调Q开关。

背景技术

调Q技术就是通过某种方法使腔的Q值随时间按一定程序变化的技术。在泵浦开始时，使腔处于低Q值状态，即提高振荡阈值使振荡不能形成，上能级的翻转粒子数就可以大量积累，能量可以存储的时间决定于激光上能级的寿命；当积累到最大值(饱和值)时，突然使腔内的损耗减小，Q值突增，激光振荡迅速建立起来，在极短的时间内，上能级的翻转粒子数被消耗，转为腔内的光能量，从谐振腔的输出端以单一脉冲的形式释放出来，于是就获得峰值功率很高的巨脉冲。

电光调Q是目前激光技术领域常用的调Q方式，电光调Q是利用某些晶体的电光效应做成相应的电光调Q开关器件实现调Q功能，具体是利用泡克耳斯效应，也就是一次电光效应，即在外加电场作用下，在物体中引起的双折射只与电场的一次方成正比。晶体做成的电光调Q具有开关时间短(约10^-9s)、效率高、调Q时刻可以精确控制、输出脉冲宽度窄(10～20ns)、峰值功率高(几十MW以上)等优点。

但是，传统的电光调Q开关由于电光系数较小，一般需要在通光方向上做得比较长，这样就使得电光调Q体积比较大，缩短调Q晶体在通光方向的长度，则电压会相应的增大，当然，减小通光面上沿电场方向的厚度，可以在保持晶体内电场不变的前提下降低电压，但由于晶体较长，应用时光路调整精度要求高，综上，传统的电光调Q晶体由于电光系数较小，一般体积比较大，且调制电压较高，如铌酸锂电光调Q开关，常用的9mm×9mm×25mm的调Q电压需要4千伏左右。

发明内容

(一)要解决的技术问题

本发明要解决的技术问题是：传统的电光调Q开关体积较大，使用时调Q电压较高的问题。

(二)技术方案

为解决上述问题，本发明一种基于PLZT的电光调Q开关，包括：PLZT陶瓷、第一电极、第二电极和绝缘的支持件，所述第一电极和第二电极分别与所述PLZT陶瓷连接且分别位于所述PLZT陶瓷的两端，所述PLZT陶瓷、第一电极和第二电极均固定在所述支持件上，且保持PLZT陶瓷的通光面不受所述支持件遮挡。

其中，所述支持件包括第一支持子件和第二支持子件，所述PLZT陶瓷、第一电极和第二电极通过绝缘粘合剂固定在所述第一支持子件和第二支持子件上。

其中，所述支持件包括第一支持子件和第二支持子件，所述第一支持子件和第二支持子件上设有用于固定所述PLZT陶瓷、第一电极和第二电极的凹槽。

其中，所述凹槽的一侧面上设有螺纹孔，用于安装将所述PLZT陶瓷、第一电极和第二电极紧固在所述凹槽中的螺钉。

其中，所述PLZT陶瓷的通光面上的镀有增透膜。

其中，所述PLZT陶瓷的通光面厚度小于0.3mm。

其中，在所述PLZT陶瓷分别与第一电极和第二电极接触的表面上均镀有电极层。

其中，所述PLZT陶瓷与第一电极和第二电极通过导电胶连接。

其中，所述第一电极和第二电极的材料为无氧紫铜。

其中，所述第一电极和第二电极设有用于连接电源的导线。

(三)有益效果

本发明通过采用PLZT陶瓷作为电光调Q开关，由于PLZT电光系数大，通光方向上可以做得很薄，从而避免了传统的电光调Q开关体积较大，使用时调Q电压较高的问题。

附图说明

图1是本发明实施例的一种基于PLZT的电光调Q开关结构示意图；

图2是图1中的基于PLZT的电光调Q开关的俯视图；

图3是图1中的基于PLZT的电光调Q开关的侧视图；

图4是本发明实施例的一种基于PLZT的电光调Q开关结构示意图；

图5是图4中的基于PLZT的电光调Q开关的俯视图；

图6是图4中的基于PLZT的电光调Q开关沿A-A′的剖视图；

图7是应用图1或图4中的基于PLZT的电光调Q开关的应用实例图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。

实施例1