[发明专利]采用等离激元效应制备反型聚合物太阳电池的方法无效
申请号: | 201210101838.0 | 申请日: | 2012-03-31 |
公开(公告)号: | CN102623643A | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
发明(设计)人: | 宋维;张兴旺;高红丽;尹志岗 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/42;H01L51/44 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 汤保平 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 采用 离激元 效应 制备 聚合物 太阳电池 方法 | ||
技术领域
本发明涉及有机太阳能电池技术领域,特别涉及采用等离激元效应制备反型聚合物太阳电池的方法。
背景技术
有机聚合物太阳电池和硅基及其它无机化合物电池相比,由于不涉及高温制备过程、工艺流程简单、适合大面积生产等优势,可大幅度降低电池生产成本。此外,聚合物太阳电池与柔性衬底结合,在生产过程中可以采用卷对卷生产工艺,同时制备的柔性器件具有更广阔的应用前景。然而,目前有机聚合物电池还存在光电转换效率低,使用寿命短等问题。因此通过研究制备有机聚合物太阳电池相关的材料、结构及制备工艺,提高聚合物电池的光电转换效率及使用寿命成为国内外研究的热点。
目前研究最多的一种电池结构为ITO沉积于衬底上作为阳极,最后沉积金属铝(Al)作为阴极,两电极之间为阻挡层及活性层,这种结构被称为正型太阳电池结构。这种电池结构由于采用性质活泼的Al作阴极,在空气中极易被氧化导致电极对电子的抽取及传导能力下降;另一方面,ITO作为阳极时通常采用PEDOT:PSS作为阻挡层以达到减少阳极区域载流子复合几率提高电池光电转换的目的,然而PEDOT:PSS作为酸性水溶液涂覆不但会增加工艺复杂性,而且水分子会降低电池活性层材料的光电转换效率,同时对ITO电极具有腐蚀作用,缩短电池寿命。一种解决正型电池上述缺陷的方式为采用反型电池结构,即选择透明电极作为阴极,选择具有更高功函数的惰性金属作为阳极。阴极选用ZnO:Al材料不必额外增加阴极阻挡层,这主要得益于ZnO作为宽禁带半导体其价带与给体LUMO能量差提供足够的空穴势垒。而阳极在电池背面,一方面选用惰性金属可以避免电极氧化问题,另一方面不用苛求阳极阻挡层的透光性而有更广阔的材料选择空间。
目前还有一种提高太阳电池光电转换效率的方法是采用金属表面等离激元效应增强电池活性层对太阳光的吸收能力。金属表面等离激元为电磁场使位于金属表面附近自由电子集体震荡的行为。这种量子化的震荡使金属附近的介质对某一波长的光产生增强吸收现象。近年来,已经通过实验证实在聚合物太阳电池中掺入Au颗粒或Ag颗粒可以提高电池的光电转换效率。
化学法合成Au颗粒以其工艺简单并与聚合物太阳制备工艺兼容被众多研究团队所采用。然而目前合成方案成熟的Turkevich法制备的Au颗粒为亲水性颗粒,不能直接添加至聚合物层中,限制其在聚合物太阳电池中的应用。解决方案为在Au颗粒表面修饰疏水性基团,使其能在非极性溶剂中稳定分散,在电池制备过程中可直接按比例向聚合物溶液中添加。
综上所述,本发明基于上述提高聚合物有机电池稳定性及光电转化效率的方案,提出在利用氧化锌(ZnO):铝(Al)作为阴极的反型电池结构中,活性层中加入表面由DDAB修饰的金(Au)颗粒,以提高反型聚合物太阳电池效率的方法。
发明内容
本发明的目的在于,提出一种采用等离激元效应制备反型聚合物太阳电池的方法,其是通过表面改性过Au颗粒掺入光敏层中,利用金属表面等离激元效应增强聚合物电池的光电转换效率。解决聚合物太阳电池PEDOT:PSS层对ITO的腐蚀问题,同时解决Al电极的氧化问题。通过表面改性Au颗粒,解决其不能稳定分散于非极性溶剂的问题,增强电池对太阳光的吸收能力。提高聚合物太阳电池的寿命及光电转换效率。
为达到上述目的,本发明提出了一种采用等离激元效应制备反型聚合物太阳电池的方法,包括如下步骤:
步骤1:在一衬底上面的一侧沉积溅射一层氧化锌掺铝层,该氧化锌掺铝层为阴极;
步骤2:在暴露的衬底上面和氧化锌掺铝层上面的一侧,旋涂掺入金颗粒的聚噻吩富勒烯混合物,形成光敏层;
步骤3:在光敏层上通过热蒸发沉积一层氧化钼层;
步骤4:通过热蒸发,在氧化钼层上沉积银层,该银层为阳极,完成反型聚合物太阳电池的制备。
从上述技术方案可以看出,本发明具有以下有益效果:
1、有表面修饰的Au颗粒可稳定分散于P3HT与PCBM混合物的氯苯溶液。本发明采用相转移法在有机溶剂中直接合成Au颗粒,其表面有DDAB修饰,可稳定分散于非极性溶剂中。
2、采用本发明的方法制备的反型电池结构,其可解决正型结构中ITO电极与Al电极的腐蚀氧化问题。用ZnO:Al作为透明电极,其透光率高于ITO电极,表面粗糙度小于ITO电极。同时ZnO作为宽禁带半导体,作为聚合物太阳电池阴极时,不用额外制备阴极阻挡层。用MoO3代替PEDOT:PSS作为阳极阻挡层,可减少在器件制备过程中水对活性层的不利影响。
3、本发明避免了含水工艺。在简化工艺的同时,保证电池的稳定与高效。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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