[发明专利]太赫兹波检测装置、太赫兹滤波器、成像装置及计测装置无效
申请号: | 201210078646.2 | 申请日: | 2012-03-22 |
公开(公告)号: | CN102692383A | 公开(公告)日: | 2012-09-26 |
发明(设计)人: | 富冈纮斗 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | G01N21/25 | 分类号: | G01N21/25;G01J3/00;G02B5/20 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李伟;王轶 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 赫兹 检测 装置 滤波器 成像 | ||
1.一种太赫兹波检测装置,其特征在于,
具备:
滤波器,其使规定波长的太赫兹波通过;和
检测部,其将通过了所述滤波器的所述规定波长的太赫兹波变换为热来进行检测,
所述滤波器具备:
金属层,其具有连通太赫兹波射入的入射面与所述规定波长的太赫兹波射出的出射面的多个孔部;和
电介质部,其被填充于所述多个孔部,且由电介质构成,
其中,所述多个孔部沿着与所述入射面的法线垂直的方向以规定的间距设置。
2.根据权利要求1所述的太赫兹波检测装置,其特征在于,
所述滤波器具有设置在所述金属层的所述入射面的表面以及所述电介质部的所述入射面侧的表面、且由电介质构成的电介质层。
3.根据权利要求2所述的太赫兹波检测装置,其特征在于,
所述电介质层的相对介电常数在50以上。
4.根据权利要求2或3所述的太赫兹波检测装置,其特征在于,
构成所述电介质层的所述电介质包含金属氧化物、金属碳化物以及金属氮化物中的至少1种。
5.根据权利要求4所述的太赫兹波检测装置,其特征在于,
构成所述电介质层的所述电介质所包含的所述金属属于元素周期表的第3族、第4族以及第5族中的任意一族。
6.根据权利要求1~5中的任意一项所述的太赫兹波检测装置,其特征在于,
所述电介质部的相对介电常数在50以上。
7.根据权利要求1~6中的任意一项所述的太赫兹波检测装置,其特征在于,
构成所述电介质部的所述电介质包含金属氧化物、金属碳化物以及金属氮化物中的至少1种。
8.根据权利要求7所述的太赫兹波检测装置,其特征在于,
构成所述电介质部的所述电介质中所包含的所述金属属于元素周期表的第3族、第4族以及第5族中的任意一族。
9.根据权利要求1~8中的任意一项所述的太赫兹波检测装置,其特征在于,
所述滤波器具有设置在所述金属层的所述出射面侧的基板。
10.根据权利要求1~9中的任意一项所述的太赫兹波检测装置,其特征在于,
所述孔部从所述入射面的法线方向俯视时的形状是圆形,
当将所述圆形的直径设为d、将从所述入射面的法线方向俯视时的相邻的2个所述孔部的所述圆形的中心间距离设为s时,所述孔部以满足下述式1的方式被设置,
0.25≤d/s<1...(1)。
11.根据权利要求1~10中的任意一项所述的太赫兹波检测装置,其特征在于,
所述金属层的沿着所述入射面的法线方向的厚度在所述规定的太赫兹波的波长以下。
12.根据权利要求1~11中的任意一项所述的太赫兹波检测装置,其特征在于,
相邻的2个所述孔部的所述规定间距与所述规定的太赫兹波的波长是同一长度。
13.根据权利要求1~12中的任意一项所述的太赫兹波检测装置,其特征在于,
所述滤波器具有:多个所述孔部沿着与所述入射面的法线垂直的方向以第1间距设置的第1区域,和多个所述孔部沿着与所述入射面的法线垂直的方向以第2间距设置的第2区域。
14.根据权利要求1~12中的任意一项所述的太赫兹波检测装置,其特征在于,
所述滤波器具有多个单位区域,
所述多个单位区域分别具有多个所述孔部沿着与所述入射面的法线垂直的方向以第1间距设置的第1区域,和多个所述孔部沿着与所述入射面的法线垂直的方向以第2间距设置的第2区域。
15.根据权利要求13或14所述的太赫兹波检测装置,其特征在于,
所述检测部具有分别与所述滤波器的所述第1区域以及所述第2区域对应地设置、且将通过了该区域的太赫兹波变换为热来进行检测的多个单位检测部。
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