[发明专利]一种新型的兼容数字式和模拟式的超宽带衰减器无效
申请号: | 201210078081.8 | 申请日: | 2012-03-22 |
公开(公告)号: | CN102624355A | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
发明(设计)人: | 戴永胜;孙宏途;康其桔;戚湧;汉敏;尹洪浩;李平;谢秋月;韩群飞;冯媛;左同生;范小龙;郭风英;吴建星;韦晨君;李旭;吴迎春;陈建锋;王立杰;陈少波;徐利;周聪;张红;陈曦;於秋杉;杨健 | 申请(专利权)人: | 南京理工大学常熟研究院有限公司 |
主分类号: | H03H11/00 | 分类号: | H03H11/00 |
代理公司: | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人: | 朱显国 |
地址: | 215513 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 兼容 数字式 模拟 宽带 衰减器 | ||
1.一种新型的兼容数字式和模拟式的超宽带衰减器,其特征在于:该衰减器由第一微波输入端口(RFIN)、第一微波输出端口(RFOUT)、电容(C1)、第一氮化镓高电子迁移率晶体管(F1)、第二氮化镓高电子迁移率晶体管(F2)、第三氮化镓高电子迁移率晶体管(F3)、第四氮化镓高电子迁移率晶体管(F4)、第五氮化镓高电子迁移率晶体管(F5)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第五电阻(R5)、第六电阻(R11)、第七电阻(R12)、第八电阻(R13)、第九电阻(R14)、第十电阻(R15)、第一电感(L1)、第二电感(L2)、第三电感(L3)、第一二极管(PinDiode1)、第二二极管(PinDiode2)、第一控制电压(Vc11)、 第二控制电压(Vc12)、第三控制电压(Vc13)、第四控制电压(Vc14)和第五控制电压(Vc15)构成;第一微波输入端口(RFIN)一端接电容(C1)一端,电容(C1)另一端接电感(L1)一端,第一电感(L1)另一端接第二电感(L2)一端,第二电感(L2)另一端接第三电感(L3)一端,第三电感(L3)另一端接第一微波毫米波输出端口(RFOUT);第一二极管(PinDiode1)的P区接第一电感(L1)和第二电感(L2)之间,第一二极管(PinDiode1)的N区接地,第二二极管(PinDiode1)的P区接第一电感(L2)和第二电感(L3)之间,第二二极管(PinDiode1)的N区接地;第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)和第五电阻(R5)依次串联接在第一电容(C1)和第一电感(L1)之间,第五电阻(R5)的另一端接地;第一氮化镓高电子迁移率晶体管(F1)、第二氮化镓高电子迁移率晶体管(F2)、第三氮化镓高电子迁移率晶体管(F3)、第四氮化镓高电子迁移率晶体管(F4)和第五氮化镓高电子迁移率晶体管(F5)的源极和漏极依次并联在第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)和第五电阻(R5)的两端,第六电阻(R11)、第七电阻(R12)、第八电阻(R13)、第九电阻(R14)和第十电阻(R15)的一端依次接在第一氮化镓高电子迁移率晶体管(F1)、第二氮化镓高电子迁移率晶体管(F2)、第三氮化镓高电子迁移率晶体管(F3)、第四氮化镓高电子迁移率晶体管(F4)和第五氮化镓高电子迁移率晶体管(F5)的栅极,第六电阻(R11)、第七电阻(R12)、第八电阻(R13)、第九电阻(R14)和第十电阻(R15)的另一端依次接第一控制电压(Vc11)、 第二控制电压(Vc12)、 第三控制电压(Vc13)、第四控制电压 (Vc14)和 第五控制电压 (Vc15);电路中的转换场效应晶体管(MESFET)通过2.5千欧的门级电阻控制,可以为每个转换场效应晶体管(MESFET)和控制源提供足够的射频隔离。
2.根据权利要求1所述的新型的兼容数字式和模拟式的超宽带衰减器,其特征在于:在模拟控制情况下,转换第一场效应晶体管(F1)处于OFF状态(高电阻), 第二场效应晶体管(F2)处于OFF状态(高电阻), 第三场效应晶体管(F13)处于OFF状态(高电阻), 第四场效应晶体管(F4)处于OFF状态(高电阻), 第五场效应晶体管(F5)处于OFF状态(高电阻);这种情况下,第一控制电压(Vc11)被设置在VP, 第二控制电压 (Vc12)被设置在VP, 第三控制电压 (Vc13)被设置在VP, 第四控制电压 (Vc14)被设置在VP, 第五控制电压 (Vc15)被设置在VP,VP是一个负极的场效应晶体管(MESFET)夹断电压,或者比-|VP|更小,VP一般为-5V;衰减由第一总控压(V1)电压控制,第一总控压(V1)电压控制第一二极管(PinDiode1)、第二二极管(PinDiode2)的阻值大小;第一总控压V1从0V变到VP(两个二极管的阻抗值从低阻抗变到高阻抗),衰减器总的衰减从最小到最大;反之,第一总控压(V1)从VP变到0V(两个二极管的阻抗值从高阻抗变到低阻抗),衰减器总的衰减从最大到最小;在数字控制情况下,第一总控电压V1被固定设置为VP,通过控制第一控制电压(Vc11)来实现第一场效应晶体管(F1)的截止或者导通状态, 控制第二控制电压 (Vc12)来实现第二场效应晶体管(F2)的截止或者导通状态, 控制第三控制电压 (Vc13)来实现第三场效应晶体管(F13)的截止或者导通状态, 控制第四控制电压 (Vc14)来实现第四场效应晶体管(F4)的截止或者导通状态, 控制第五控制电压 (Vc15)来实现第五场效应晶体管(F5)的截止或者导通状态,进而控制第一二极管(PinDiode1),第二二极管(PinDiode2)的阻值大小;5位的衰减分别是2,4,8,16,32dB,实现36dB动态范围内2dB的分辨率。
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