[发明专利]一种混合晶型无机纳米填料/聚合物基复合介电薄膜

权利要求书

1.一种混合晶型无机纳米填料/聚合物基复合介电薄膜，其特征在于，所述复合介电薄膜由含氟聚合物和混晶纳米TiO₂组成，其质量百分比组成为：混晶纳米TiO₂5％-40％，含氟聚合物60％-95％；所述混合晶型无机纳米填料/聚合物基复合介电薄膜通由以下方法制得，通过回流法由锐钛矿、金红石两种晶型制备混晶纳米TiO₂，将混晶纳米TiO₂、含氟聚合物和溶剂N，N-二甲基甲酰胺混合后，超声搅拌分散均匀，形成稳定的溶胶；流延成膜后干燥，冷却、120±1℃退火，去除残留溶剂，即得混合晶型无机纳米填料/聚合物基复合介电薄膜。

2.根据权利要求1所述的混合晶型无机纳米填料/聚合物基复合介电薄膜，其特征在于，所述含氟聚合物为偏氟乙烯-三氟乙烯共聚物、偏氟乙烯-三氟乙烯-氟氯乙烯共聚物、偏氟乙烯-三氟乙烯-三氟氯乙烯共聚物中的一种。

3.根据权利要求1所述的混合晶型无机纳米填料/聚合物基复合介电薄膜，其特征在于，所述混晶纳米TiO₂由锐钛矿、金红石两种晶型混合，其摩尔百分比组成为：锐钛矿36％-45％，金红石55％-64％。

4.根据权利要求1或3所述的混合晶型无机纳米填料/聚合物基复合介电薄膜，其特征在于，所述混晶TiO₂为40％，含氟聚合物为60％。

5.根据权利要求1或3所述的混合晶型无机纳米填料/聚合物基复合介电薄膜，其特征在于，所述锐钛矿为37％，金红石为63％。

6.根据权利要求1所述的混合晶型无机纳米填料/聚合物基复合介电薄膜，其特征在于，所述混晶TiO₂和含氟聚合物总质量与DMF的质量比为1∶7-10。

7.根据权利要求1或3所述的混合晶型无机纳米填料/聚合物基复合介电薄膜，其特征在于，所述锐钛矿为36％，金红石为64％。