[发明专利]磁场传感器

权利要求书

1.一种方法，包括：

除测量磁场之外生成辅助磁场，使得所述辅助磁场和所述测量磁场的最终合成磁场在XMR元件处超过所述XMR元件的饱和极限；

用所述XMR元件感测所述最终合成磁场；

基于对所述最终合成磁矢量的感测来确定所述测量磁场的至少一个特性。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在感测期间，所述测量磁场的大小小于所述XMR元件的饱和极限。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，确定所述测量磁场的至少一个特性进一步基于与所述辅助磁场对所述XMR元件的输出信号的贡献相关的信息。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，确定所述测量磁场的至少一个特性基于以所述XMR元件的输出信号和对所述XMR元件的输出信号进行的去除所述辅助磁场的贡献的处理为基础提取所述测量磁场的至少一个特性。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述辅助磁场至少在所述合成磁场的感测期间保持恒定。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述感测之前预先确定所述辅助磁场的大小和方向。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述辅助磁场是非变化磁场。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述辅助磁场通过永磁体或线圈生成。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述辅助磁场是第一辅助磁场，所述方法还包括：除所述测量磁场之外生成第二辅助磁场，使得所述第二辅助磁场和所述测量磁场的最终第二合成磁场在第二XMR元件处超过所述第二XMR元件的饱和极限。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第二辅助磁场的方向不同于所述第一辅助磁场的方向。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括n个XMR元件，并且为所述n个XMR元件中的每一个生成对应的辅助磁场，其中，n是大于2的整数。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述测量磁场的至少一个特性为所述测量磁场的角度或者所述测量磁场的旋转速度。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，所述辅助磁场的大小等于或大于所述饱和极限的大小。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，所述辅助磁场的大小大约为所述饱和极限的大小。

15.一种磁感测装置，包括：

XMR元件；

磁场发生器，生成除测量磁场之外的辅助磁场，使得所述辅助磁场和所述测量磁场的最终合成磁场在所述XMR元件处超过所述XMR元件的饱和极限，

其中，所述XMR元件被配置为感测所述合成磁场；以及基于感测的合成磁场确定所述测量磁场的至少一个特性的单元。

16.根据权利要求15所述的装置，其中，所述单元被配置为通过基于所述XMR元件的输出信号和所述辅助磁场的特性计算所述至少一个特性来确定所述测量磁场的所述至少一个特性。

17.根据权利要求16所述的装置，其中，所述单元被配置为基于减去所述辅助磁场的贡献来确定所述测量磁场的所述至少一个特性。

18.根据权利要求17所述的装置，其中，所述单元被配置为提供从所述合成磁场中减去所述辅助磁场的矢量的计算。

19.根据权利要求15所述的装置，其中，所述磁场发生器被配置为至少在所述合成磁场的感测恒定的期间提供所述辅助磁场。

20.根据权利要求15所述的装置，其中，在所述感测之前预先确定所述辅助磁场的大小和方向。

21.根据权利要求20所述的装置，其中，所述辅助磁场为非变化磁场。

22.根据权利要求15所述的装置，其中，所述辅助磁场通过永磁体或线圈生成。

23.根据权利要求15所述的装置，还包括：

至少一个其他XMR元件；以及

至少一个其他磁场发生器，生成除所述测量磁场之外的至少一个其他辅助磁场，使得所述至少一个其他辅助磁场和所述测量磁场的最终合成磁场在所述至少一个其他XMR元件处超过饱和极限。